Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si_1-xGe_x с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si

Шенгуров В.Г.¹, Чалков В.Ю.¹, Денисов С.А.¹, Матвеев С.А.², Нежданов А.В.², Машин А.И.², Филатов Д.О.¹, Степихова М.В.^2,3, Красильник З.Ф.^2,3

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: matveevsa.sou@gmail.com

Поступила в редакцию: 25 февраля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Pассмотрены условия эпитаксиального выращивания высококачественных релаксированных слоев Si_1-xGe_x комбинированным методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазного разложения моногермана на "горячей проволоке". Предложенная комбинированная методика роста позволяет выращивать слои Si_1-xGe_x толщиной до 2 мкм и более. При пониженных температурах роста (T_S~325-350^oC) используемая методика позволяет выращивать слои Si_1-xGe_x с малой шероховатостью поверхности (rms~2 нм) и низкой плотностью прорастающих дислокаций. Интенсивность фотолюминесценции слоев Si_1-xGe_x:Er значительно (более чем в 5 раз) превосходит интенсивность фотолюминесценции в слоях, полученных при стандартных условиях роста (T_S~500^oC), для которых значение внешней квантовой эффективности оценивается величиной ~0.4%.

L. Yang, J.R. Watling, R.C.W. Wilkins, M. Boriсi, J.R. Barker, A. Asenov, S. Roy. Semicond. Sci. Technol., 19, 1174 (2004)
M.L. Lee, E.A. Fitzgerald, M.T. Bulsara, M.T. Currie, A. Lochtefeld. J. Appl. Phys., 97, 011 101 (2005)
J. Wang, S. Lee. Sensors, 11, 696 (2011)
P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, D. Chrastina, J.-R. Coudevylle, X. Le Roux, S. Edmond, G. Isella, L. Vivien. Sci. Technol. Adv. Mater., 15, 014 601 (2014)
C. Chen, C. Li, S. Huang, Y. Zheng, H. Lai, S. Chen. Int. J. Photoenergy, 2012, 768 605 (2012)
Z. Fang, C.Z. Zhao. ISRN Optics, 2012, 428 690 (2012)
S. Cho, J. Park, H. Kim, R. Sinclair, B.-G. Park, J.S. Harris, jr. Photon. Nanostruct. Fundam. Appl., 12, 54 (2014)
M.V. Stepikhova, L.V. Krasil'nikova, Z.F. Krasil'nik, V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, S.P. Svetlov, D.M. Zhigunov, V.Yu. Timoshenko, O.A. Shalygina, P.A. Kashkarov. J. Cryst. Growth, 288, 65 (2006)
M.V. Stepikhova, L.V. Krasil'nikova, Z.F. Krasil'nik, V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, D.M. Zhigunov, O.A. Shalygina, V.Yu. Timoshenko. Optical Mater., 28, 893 (2006)
D.J. Paul. Semicond. Sci. Technol., 19, R75 (2004)
А.Н. Несмеянов. Давление паров химических элементов (М., АН СССР, 1961)
В.А. Толомасов, Л.Н. Абросимова, Г.Н. Горшенин. Кристаллография, 15, 1233 (1970)
В.П. Кузнецов, В.А. Толомасов, А.В. Туманова. Кристаллография, 24, 1028 (1979)
В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Д.В. Шенгуров, С.А. Денисов. ФТП, 40, 188 (2006)
В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Б.Я. Бэр, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский. ФТП, 36, 662 (2002)
P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties (Berlin-Heidelberg, Springer, 2005)
D.J. Lockwood, J.M. Baribeau. Phys. Rev. B, 45, 8565 (1992)
T.S. Perova, J. Wasyluk, K. Lyutovich, E. Kasper, M. Oehme, K. Rode, A. Waldron. J. Appl. Phys., 109, 033 502 (2011)
J. Takahashi, T. Makino. J. Appl. Phys., 63, 87 (1988)
D.J. Olego, H. Baumgart, C.K. Celler. Appl. Phys. Lett., 52, 483 (1988)
Kai Shum, P.M. Mooney, J.O. Chu. Appl. Phys. Lett., 71, 1074 (1997)
Л.В. Красильникова, М.В. Степихова, Н.А. Байдакова, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ФТП, 43, 909 (2009)
A. Matsuda. J. Non-Cryst. Sol., 59/60, 767 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель