Вышедшие номера
Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si1-xGex с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si
Шенгуров В.Г.1, Чалков В.Ю.1, Денисов С.А.1, Матвеев С.А.2, Нежданов А.В.2, Машин А.И.2, Филатов Д.О.1, Степихова М.В.2,3, Красильник З.Ф.2,3
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: matveevsa.sou@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Pассмотрены условия эпитаксиального выращивания высококачественных релаксированных слоев Si1-xGex комбинированным методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазного разложения моногермана на "горячей проволоке". Предложенная комбинированная методика роста позволяет выращивать слои Si1-xGex толщиной до 2 мкм и более. При пониженных температурах роста (TS~325-350oC) используемая методика позволяет выращивать слои Si1-xGex с малой шероховатостью поверхности (rms~2 нм) и низкой плотностью прорастающих дислокаций. Интенсивность фотолюминесценции слоев Si1-xGex:Er значительно (более чем в 5 раз) превосходит интенсивность фотолюминесценции в слоях, полученных при стандартных условиях роста (TS~500oC), для которых значение внешней квантовой эффективности оценивается величиной ~0.4%.
  1. L. Yang, J.R. Watling, R.C.W. Wilkins, M. Boriсi, J.R. Barker, A. Asenov, S. Roy. Semicond. Sci. Technol., 19, 1174 (2004)
  2. M.L. Lee, E.A. Fitzgerald, M.T. Bulsara, M.T. Currie, A. Lochtefeld. J. Appl. Phys., 97, 011 101 (2005)
  3. J. Wang, S. Lee. Sensors, 11, 696 (2011)
  4. P. Chaisakul, D. Marris-Morini, M.-S. Rouifed, J. Frigerio, D. Chrastina, J.-R. Coudevylle, X. Le Roux, S. Edmond, G. Isella, L. Vivien. Sci. Technol. Adv. Mater., 15, 014 601 (2014)
  5. C. Chen, C. Li, S. Huang, Y. Zheng, H. Lai, S. Chen. Int. J. Photoenergy, 2012, 768 605 (2012)
  6. Z. Fang, C.Z. Zhao. ISRN Optics, 2012, 428 690 (2012)
  7. S. Cho, J. Park, H. Kim, R. Sinclair, B.-G. Park, J.S. Harris, jr. Photon. Nanostruct. Fundam. Appl., 12, 54 (2014)
  8. M.V. Stepikhova, L.V. Krasil'nikova, Z.F. Krasil'nik, V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, S.P. Svetlov, D.M. Zhigunov, V.Yu. Timoshenko, O.A. Shalygina, P.A. Kashkarov. J. Cryst. Growth, 288, 65 (2006)
  9. M.V. Stepikhova, L.V. Krasil'nikova, Z.F. Krasil'nik, V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, D.M. Zhigunov, O.A. Shalygina, V.Yu. Timoshenko. Optical Mater., 28, 893 (2006)
  10. D.J. Paul. Semicond. Sci. Technol., 19, R75 (2004)
  11. А.Н. Несмеянов. Давление паров химических элементов (М., АН СССР, 1961)
  12. В.А. Толомасов, Л.Н. Абросимова, Г.Н. Горшенин. Кристаллография, 15, 1233 (1970)
  13. В.П. Кузнецов, В.А. Толомасов, А.В. Туманова. Кристаллография, 24, 1028 (1979)
  14. В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Д.В. Шенгуров, С.А. Денисов. ФТП, 40, 188 (2006)
  15. В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Б.Я. Бэр, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский. ФТП, 36, 662 (2002)
  16. P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties (Berlin-Heidelberg, Springer, 2005)
  17. D.J. Lockwood, J.M. Baribeau. Phys. Rev. B, 45, 8565 (1992)
  18. T.S. Perova, J. Wasyluk, K. Lyutovich, E. Kasper, M. Oehme, K. Rode, A. Waldron. J. Appl. Phys., 109, 033 502 (2011)
  19. J. Takahashi, T. Makino. J. Appl. Phys., 63, 87 (1988)
  20. D.J. Olego, H. Baumgart, C.K. Celler. Appl. Phys. Lett., 52, 483 (1988)
  21. Kai Shum, P.M. Mooney, J.O. Chu. Appl. Phys. Lett., 71, 1074 (1997)
  22. Л.В. Красильникова, М.В. Степихова, Н.А. Байдакова, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ФТП, 43, 909 (2009)
  23. A. Matsuda. J. Non-Cryst. Sol., 59/60, 767 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.