Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
Министерство образования и науки Российской Федерации, ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы», 14.607.21.0003 от 05.06.2014 , уникальный код проекта: RFMEFI60714X0003
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Сахаров А.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Усов С.О.1,2, Николаев А.Е.1,2, Яговкина М.А.1, Устинов В.М.1,2, Черкашин Н.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3CEMES-CNRS --- Universite de Toulouse, Toulouse, France
Email: andrew@beam.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.
Исследован эпитаксиальный рост слоев InAlN и транзисторных гетероструктур GaN/AlN/InAlN на установках с реакторами горизонтального типа, имеющими различные размеры: 1x2'', 3x2'' и 6x2''. Исследования структурных свойств выращенных слоев InAlN и электрофизических параметров гетероструктур GaN/AlN/InAlN показало, что оптимальное качество эпитаксиального роста достигается при компромиссных между выращиванием InGaN и AlGaN условиях. Сравнение эпитаксиального роста в различных реакторах показало, что оптимальные условия реализуются на малообъемных реакторах, позволяющих подавить паразитные реакции в газовой фазе. При этом размеры реактора должны быть достаточны для обеспечения высокой однородности параметров гетероструктур по площади для последующего изготовления приборов. Определены оптимальные составы и толщины слоев InAlN для реализации максимальной проводимости транзисторных гетероструктур GaN/AlN/InAlN.
- F. Medjdoub, J.-F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, D. Ducatteau, C. Gaquiere, N. Grandjean, E. Kohn. IEEE Intern. Electron Devices Meeting (San Francisco, USA, 2006) p. 1
- E. Kohn, F. Medjdoub. Intern. Workshop on Physics of Semiconductor Devices (Mumbai, India, 2007) p. 311
- J. Joh, L. Xia, J.A. del Alamo. IEEE Intern. Electron Devices Meeting (Washington, USA, 2007) p. 385
- J. Joh, J.A. del Alamo. IEEE Intern. Electron Devices Meeting (San Francisco, USA, 2006) p. 1
- J.W. Chung, O.I. Saadat, J.M. Tirado, X. Gao, S. Guo, T. Palacios. IEEE Electron Dev. Lett., 30 (9), 904 (2009)
- M. Higashiwaki, T. Matsui. Jpn. J. Appl. Phys., 43, L768 (2004)
- M. Higashiwaki, T. Mimura, T. Matsui. Jpn. J. Appl. Phys., 45, L843 (2006)
- B. Krishnan, S. Lee, H. Li, J. Su, D. Lee, A. Paranjpe. Sensors Materials, 25 (3), 205 (2013)
- J.R. Creighton, M.E. Coltrin, J.J. Figiel. Appl. Phys. Lett., 93, 171 906 (2008)
- J.J. Zhu, Y.M. Fan, H. Zhang, G.J. Lu, H. Wang, D.G. Zhao, D.S. Jiang, Z.S. Liu, S.M. Zhang, G.F. Chen, B.S. Zhang, H. Yang. J. Cryst. Growth, 348, 25 (2012)
- E. Taylor, M.D. Smith, T.C. Sadler, K. Lorenz, H.N. Li, E. Alves, P.J. Parbrook, R.W. Martin. J. Cryst. Growth, 408, 97 (2014)
- J. Kim, Z. Lochner, Mi-H. Jia, S. Choi, H.J. Kim, J.S. Kim, R.D. Dupuis, A.M. Fischer, R. Juday, Y. Huang, T. Li, J.Y. Huang, F.A. Ponced, J.-H. Ryou. J. Cryst. Growth, 388, 143 (2014)
- А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43 (6), 841 (2009)
- A.V. Kondratyev, R.A. Talalaev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, A.V. Fomin, D.S. Sizov. J. Cryst. Growth, 272, 420 (2004)
- W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.V. Sakharov, S.O. Usov, A.E. Nikolaev, S.I. Troshkov, M.A. Yagovkina, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, D.V. Davydov, A.V. Lobanova, N.A. Cherkashin, M.J. Hytch, P.N. Brunkov, A.F. Tsatsul'nikov. Extended Abstracts 13th Eur. Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, 2009)
- M. Gherasimova, G. Gui, Z. Ren, J. Su, X.-L. Wang, J. Han, K. Higashimine, N. Otsuka. J. Appl. Phys., 95, 2921 (2004)
- А.Ф. Цацульников, В.В Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, М.М. Рожавская, С.О. Усов, П.Н. Брунков, М.А. Синицын, Д.В. Давыдов, М.Н. Мизеров, Н.А. Черкашин. ФТП, 46 (10), 1304 (2012)
- В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, E.E. Заварин, М.Г. Попов, А.В. Сахаров, Е.В. Яковлев, Д.С. Базаревский, Р.А. Талалаев, А.Ф. Цацульников, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. Письма в ЖТФ, 41 (5), 9 (2015)
- F. Medjdoub, M. Alomari, J.-F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, N. Grandjean, E. Kohn. Electron Dev. Lett., 29 (5), 422 (2008).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
