Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 9 » Статья стр. 1263
<<<>>>
Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
Министерство образования и науки Российской Федерации, ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы», 14.607.21.0003 от 05.06.2014 , уникальный код проекта: RFMEFI60714X0003
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Сахаров А.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Усов С.О.1,2, Николаев А.Е.1,2, Яговкина М.А.1, Устинов В.М.1,2, Черкашин Н.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3CEMES-CNRS --- Universite de Toulouse, Toulouse, France
Email: andrew@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.
PDF версия
Исследован эпитаксиальный рост слоев InAlN и транзисторных гетероструктур GaN/AlN/InAlN на установках с реакторами горизонтального типа, имеющими различные размеры: 1x2'', 3x2'' и 6x2''. Исследования структурных свойств выращенных слоев InAlN и электрофизических параметров гетероструктур GaN/AlN/InAlN показало, что оптимальное качество эпитаксиального роста достигается при компромиссных между выращиванием InGaN и AlGaN условиях. Сравнение эпитаксиального роста в различных реакторах показало, что оптимальные условия реализуются на малообъемных реакторах, позволяющих подавить паразитные реакции в газовой фазе. При этом размеры реактора должны быть достаточны для обеспечения высокой однородности параметров гетероструктур по площади для последующего изготовления приборов. Определены оптимальные составы и толщины слоев InAlN для реализации максимальной проводимости транзисторных гетероструктур GaN/AlN/InAlN.
  1. F. Medjdoub, J.-F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, D. Ducatteau, C. Gaquiere, N. Grandjean, E. Kohn. IEEE Intern. Electron Devices Meeting (San Francisco, USA, 2006) p. 1
  2. E. Kohn, F. Medjdoub. Intern. Workshop on Physics of Semiconductor Devices (Mumbai, India, 2007) p. 311
  3. J. Joh, L. Xia, J.A. del Alamo. IEEE Intern. Electron Devices Meeting (Washington, USA, 2007) p. 385
  4. J. Joh, J.A. del Alamo. IEEE Intern. Electron Devices Meeting (San Francisco, USA, 2006) p. 1
  5. J.W. Chung, O.I. Saadat, J.M. Tirado, X. Gao, S. Guo, T. Palacios. IEEE Electron Dev. Lett., 30 (9), 904 (2009)
  6. M. Higashiwaki, T. Matsui. Jpn. J. Appl. Phys., 43, L768 (2004)
  7. M. Higashiwaki, T. Mimura, T. Matsui. Jpn. J. Appl. Phys., 45, L843 (2006)
  8. B. Krishnan, S. Lee, H. Li, J. Su, D. Lee, A. Paranjpe. Sensors Materials, 25 (3), 205 (2013)
  9. J.R. Creighton, M.E. Coltrin, J.J. Figiel. Appl. Phys. Lett., 93, 171 906 (2008)
  10. J.J. Zhu, Y.M. Fan, H. Zhang, G.J. Lu, H. Wang, D.G. Zhao, D.S. Jiang, Z.S. Liu, S.M. Zhang, G.F. Chen, B.S. Zhang, H. Yang. J. Cryst. Growth, 348, 25 (2012)
  11. E. Taylor, M.D. Smith, T.C. Sadler, K. Lorenz, H.N. Li, E. Alves, P.J. Parbrook, R.W. Martin. J. Cryst. Growth, 408, 97 (2014)
  12. J. Kim, Z. Lochner, Mi-H. Jia, S. Choi, H.J. Kim, J.S. Kim, R.D. Dupuis, A.M. Fischer, R. Juday, Y. Huang, T. Li, J.Y. Huang, F.A. Ponced, J.-H. Ryou. J. Cryst. Growth, 388, 143 (2014)
  13. А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43 (6), 841 (2009)
  14. A.V. Kondratyev, R.A. Talalaev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, A.V. Fomin, D.S. Sizov. J. Cryst. Growth, 272, 420 (2004)
  15. W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.V. Sakharov, S.O. Usov, A.E. Nikolaev, S.I. Troshkov, M.A. Yagovkina, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, D.V. Davydov, A.V. Lobanova, N.A. Cherkashin, M.J. Hytch, P.N. Brunkov, A.F. Tsatsul'nikov. Extended Abstracts 13th Eur. Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (Ulm, Germany, 2009)
  16. M. Gherasimova, G. Gui, Z. Ren, J. Su, X.-L. Wang, J. Han, K. Higashimine, N. Otsuka. J. Appl. Phys., 95, 2921 (2004)
  17. А.Ф. Цацульников, В.В Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, М.М. Рожавская, С.О. Усов, П.Н. Брунков, М.А. Синицын, Д.В. Давыдов, М.Н. Мизеров, Н.А. Черкашин. ФТП, 46 (10), 1304 (2012)
  18. В.В. Лундин, Д.В. Давыдов, E.E. Заварин, М.Г. Попов, А.В. Сахаров, Е.В. Яковлев, Д.С. Базаревский, Р.А. Талалаев, А.Ф. Цацульников, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. Письма в ЖТФ, 41 (5), 9 (2015)
  19. F. Medjdoub, M. Alomari, J.-F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, N. Grandjean, E. Kohn. Electron Dev. Lett., 29 (5), 422 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme