Исследованы закономерности формирования низкорезистивного Cu₃Ge соединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода двухслойной системы Cu/Ge, осаждeнной на подложку i-GaAs. Обработка системы Cu/Ge/i-GaAs с толщиной слоeв 122 и 78 нм соответственно в атомарном водороде с плотностью потока 10¹⁵ aт·см²·с^-1 в течение 2.5-10 мин при комнатной температуре приводит к взаимодиффузии Cu и Ge и формированию поликристаллической плeнки, содержащей стехиометрическую фазу Cu₃Ge. Плeнка состоит из вертикально ориентированных зерен размером 100-150 нм и имеет минимальное удельное сопротивление 4.5 мкОм·см. Варьирование времени обработки образцов Cu/Ge/i-GaAs в атомарном водороде влияет на профили распределения Cu и Ge, фазовый состав пленок, а также на величину их удельного сопротивления. Экспериментально наблюдаемый синтез Cu₃Ge соединения, реализующийся при комнатной температуре, свидетельствует о стимулирующем характере воздействия обработки в атомарном водороде как на диффузию Cu и Ge, так и на химическую реакцию образования соединения Cu₃Ge. Активация данных процессов может быть обусловлена энергией, выделяющейся при рекомбинации атомов водорода, адсорбированных на поверхности образца Cu/Ge/i-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.