Вышедшие номера
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
Середин П.В.1, Голощапов Д.А.1, Леньшин А.С.1, Лукин А.Н.1, Федюкин А.В.1, Арсентьев И.Н.2, Бондарев А.Д.2, Лубянский Я.В.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Методами структурного анализа, атомно-силовой микроскопии, инфракрасной и видимой-ультрафиолетовой спектроскопии были исследованы свойства наноструктурированных пленок нитрида алюминия, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs с различной ориентацией. Пленки нитрида алюминия могут иметь показатель преломления в диапазоне 1.6-4.0 для области длин волн ~250 нм и оптическую ширину запрещенной зоны ~5 эВ. Показано, что управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек GaAs.