Проанализирована возможность создания высоковольтного тиристора на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа. Показано, что тиристорная структура, созданная как аналог" современной тиристорной структуры с блокирующей базой p-типа, т. е. с сохранением толщин слоев структуры и заменой типа легирования слоев, не может быть включена ни при каком уровне входного сигнала. При комнатной температуре структура с приемлемыми параметрами при использовании блокирующей базы n-типа может быть реализована только при отсутствии стоп-слоя. В этом случае, однако, блокируемое структурой максимальное напряжение будет приблизительно в 2 раза ниже, чем напряжение, блокируемое тиристором с блокирующей базой p-типа с той же толщиной блокирующей базы. При наличии стоп-слоя при комнатной температуре на прямой вольт-амперной характеристике тиристора с блокирующей n-базой возникает участок S-образного дифференциального сопротивления, обусловленный нарушением и последующим восстановлением нейтральности. При температуре окружающей среды ≥150^oC вольт-амперные характеристики тиристора с блокирующей n-базой становятся вполне удовлетворительными и при наличии стоп-слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.