"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование бетавольтаического эффекта на кремниевых pin-структурах при облучении beta-источником никель-63
Нагорнов Ю.С.1, Мурашев В.Н.2
1Тольяттинский государственный университет, Тольятти, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: Nagornov.Yuri@gmail.com
Поступила в редакцию: 13 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Рассмотрены возможности бетавольтаики в качестве источников питания для полупроводниковых схем. Экспериментальные исследования показали существенную роль зарядки поверхности и снижение эдс. Проведено моделирование бетавольтаического эффекта от источника никель-63 для кремниевых pin-структур и показано, что коэффициент сбора сгенерированных носителей заряда может достигать значения 13%. Определены дозовые зависимости эффективности работы кремниевых бетавольтаических структур от alpha- и gamma-облучений, показано, что дозы 1.3·1014 и 1020 см-2 соответственно являются пороговыми, выше которых происходит резкое снижение работоспособности. Определены оптимальные параметры микроканальных структур бетавольтаики, в которых ширина каналов и расстояние между ними соответствуют 3 и 10 мкм.
  1. M. Lu, G. Zhang, K. Fu, G. Yu, D. Su, J. Hu. Energy Conversion and Management, 52 (4), 1955 (2011)
  2. Sh. Yao, Z. Song, X. Wang, H. San, Yu. Yu. Appl. Radiation and Isotopes, 70 (10), 2388 (2012)
  3. H. Chen, L. Jiang, X. Chen. J. Phys. D: Appl. Phys., 44 (21), 215 303 (2011)
  4. Ю.С. Нагорнов. Современные аспекты применения бетавольтаического эффекта (Ульяновск, УлГПУ, 2012)
  5. Ю.С. Нагорнов, В.М. Радченко, Е.С. Пчелинцева, В.В. Светухин, Б.М. Костишко, В.Д. Рисованый. Изв. вузов. Электроника, N 1, 90 (2011)
  6. H. Guo, A. Lal. The 12th Int. Conference on Solid State Sensors, Actuators and Microsystems (Boston, USA, 2003) p. 36
  7. M.V.S. Chandrashekhar. Appl. Phys. Lett., 88, 033 506 (2006)
  8. J.P. Clarkson, W. Sun, K.D. Hirschman, L.L. Gadeken, P.M. Fauchet. Phys. Status Solidi A, 204 (5), 1536 (2007)
  9. M.V.S. Chandrashekhar, Ch.I. Thomas, M.G. Spencer. USA Patent. US7939986B2 (2011)
  10. Ю.С. Нагорнов, Е.С. Пчелинцева, В.М. Радченко, Б.М. Костишко, В.В. Светухин, В.Д. Рисованый. Вопросы атомной науки и техники. Физика радиационного воздействия на радиоэлектрон. аппаратуру, N 1, 65 (2011)
  11. А.В. Зеленцов, З.М. Поварницына, Е.С. Сельков, В.Д. Ходжаев, А.И. Черный, В.П. Яромский. Патент РФ N 2308119 от 10.10.2007 (2007)
  12. В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 46 (2013)
  13. С.В. Булярский, В.М. Радченко, О.В. Скаляух. Изготовление и применение источников альфа-излучения (Ульяновск, УлГУ, 2005)
  14. О.К. Барановский, П.В. Кучинский, В.М. Лутковский, А.П. Петрунин, Е.Д. Савенок. ФТП, 35 (3), 352 (2001)
  15. С.И. Зайцев, В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 9 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.