"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10031
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
65

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2006 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
16
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Ромака В.А.
Институт прикладных проблем математики и механики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
7
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Тонких А.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Стаднык Ю.В.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Шеляпина М.Г.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ромака Л.П.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Кузьменков А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Аракчеева Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Талалаев В.Г.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
4
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ефремов М.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Немов С.А.
Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ефремов А.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Корбутяк Д.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Сурис Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тягинов С.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Фрушарт Д.
Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
81
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
16
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
15
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
8
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
7
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
3
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
3
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Омский филиал Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
2
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
2
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2
Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2
Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
2
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Wihuri Physical Laboratory, Turku University, FIN Turku, Finland
2