Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр" Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический инстутит им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тонких А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный комплекс Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Кузьменков А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ромака В.А.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
4
Стаднык Ю.В.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Шеляпина М.Г.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
4
Ромака Л.П.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Чекурин В.Ф.
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
4
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Аракчеева Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Ефремов А.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Корбутяк Д.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Сибирев Н.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Танклевская Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тягинов С.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шулекин А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Поклонский Н.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фрушарт Д.
Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, BP 166, Гренобль, Франция
3
Гореленко Ю.К.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
3
Ефремов М.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петерубрг, Россия
3
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сурис Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Борисенко В.Е.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Михрин В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власенко З.К.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мигаль В.П.
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2
Фомин А.С.
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2
Хайбуллин И.Б.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Каганович Э.Б.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Манойлов Э.Г.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Востоков Н.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Посредник О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Захаров Н.Д.
Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Halle (Saale), Germany
2
Werner P.
Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Halle (Saale), Germany
2
Талалаев В.Г.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Halle (Saale), Germany
2
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фочук П.М.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Парфенюк О.А.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Кревчик В.Д.
Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2
Грунин А.Б.
Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2
Косяченко Л.А.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хомылев М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бойко В.М.
Филиал ФГУП Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2
Бублик В.Т.
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
2
Воронова М.И.
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
2
Колин Н.Г.
Филиал ФГУП Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2
Меркурисов Д.И.
Филиал ФГУП Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2
Щербачев К.Д.
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
2
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Назыров Д.Э.
Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
2
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Соколовский И.О.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Копьёв П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крюченко Ю.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Купчак И.М.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Петров В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хлудков С.С.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Колосов С.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Плотников А.Ф.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Форш П.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Аронзон Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Веденеев А.С.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Рыльков В.В.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Генцарь П.А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Шток Э.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
2
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Метелева Ю.В.
Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Новиков Г.Ф.
Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гольдман Е.И.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковш А.Р.
NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
2
Михрин С.С.
NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Laiho R.
Wihuri Physical Laboratory, Turku University, FIN Turku, Finland
2
Даунов М.И.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Сейсян Р.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Zahn D.R.T.
Institut fur Physik, Technische Universitat Chemnitz, Chemnitz, Germany
2
Дерябин А.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Соколов Л.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Александрова Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Закгейм Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Криволапчук В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калыгина В.М.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Панин А.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Галиев Г.Б.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва Россия
2
Мокеров В.Г.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва Россия
2
Герасименко Ю.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
1
Пиччинини М.
Национальная лаборатория Фраскати ИНФН, Фраскати, Италия
1
Философов Н.Г.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
1
Kissel H.
Ferdinand-Braun-Institut fur Hochstfrequenztechnik, Berlin, Deutschland
1
Носков А.В.
Омский филиал Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
1
Акимов А.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Каражанов С.Ж.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Давиденко И.И.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
1
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Мокеров В.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Даулетмуратов Б.К.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Злобин С.А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Травников В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сизов В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Хоменкова Л.Ю.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Бекенев В.Л.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Разжувалов А.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Климов И.В.
Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
1
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Антипов В.В.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Ницук Ю.А.
Одесский национальный университет им. И.М. Мечникова, Одесса, Украина
1
Рожанский И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Голубев А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
1
Абросимов Н.В.
Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
1
Борщев К.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
1
Кожанов А.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Василевский Ю.Г.
Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, Минск, Республика Беларусь
1
Patane A.
School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, NG7 2RD Nottingham, UK
1
Chi J.Y.
Industrial Technology Research Institute, Chutung, Hsinchu, 310, Taiwan, Republic of China
1
Тобола Я.
Научно-технологический университет Горно-металлургической академии, 30-059 Краков, Польша
1
Gessner T.
Zentrum fur Mikrotechnologien, Technische Universitat, Chemnitz, Germany
1
Блохин И.В.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
1
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук