Вышедшие номера
Общее количество статей:
10684
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
183
Распределение количества просмотров по годам:
684178
643078
618823
552141
476353
457505
422363
374277
456200
570703
565190
517751
517294
524361
508063
524757
544901
556250
486678
517507
485287
620772
631670
620756
593150
640807
645021
621025
593062
562767
461937
354344
220898
105999
25889
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
781
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
238
252
286
241
275
269
295
249
323
260
166

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2006 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр" Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический инстутит им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тонких А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-образовательный комплекс Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Кузьменков А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ромака В.А.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
4
Стаднык Ю.В.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Шеляпина М.Г.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
4
Ромака Л.П.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Чекурин В.Ф.
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
4
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Аракчеева Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Ефремов А.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Корбутяк Д.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Сибирев Н.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Танклевская Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тягинов С.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шулекин А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Поклонский Н.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фрушарт Д.
Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, BP 166, Гренобль, Франция
3
Гореленко Ю.К.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
3
Ефремов М.Д.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петерубрг, Россия
3
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сурис Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Борисенко В.Е.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Михрин В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власенко З.К.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мигаль В.П.
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2
Фомин А.С.
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2
Хайбуллин И.Б.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Каганович Э.Б.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Манойлов Э.Г.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Востоков Н.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Посредник О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Захаров Н.Д.
Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Halle (Saale), Germany
2
Werner P.
Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Halle (Saale), Germany
2
Талалаев В.Г.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Halle (Saale), Germany
2
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фочук П.М.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Парфенюк О.А.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Кревчик В.Д.
Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2
Грунин А.Б.
Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2
Косяченко Л.А.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хомылев М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бойко В.М.
Филиал ФГУП Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2
Бублик В.Т.
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
2
Воронова М.И.
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
2
Колин Н.Г.
Филиал ФГУП Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2
Меркурисов Д.И.
Филиал ФГУП Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2
Щербачев К.Д.
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
2
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Назыров Д.Э.
Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
2
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Соколовский И.О.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Копьёв П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крюченко Ю.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Купчак И.М.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Петров В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хлудков С.С.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Колосов С.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Плотников А.Ф.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Форш П.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Аронзон Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Веденеев А.С.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Рыльков В.В.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Генцарь П.А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Шток Э.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
2
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Метелева Ю.В.
Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Новиков Г.Ф.
Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гольдман Е.И.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковш А.Р.
NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
2
Михрин С.С.
NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Laiho R.
Wihuri Physical Laboratory, Turku University, FIN Turku, Finland
2
Даунов М.И.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Сейсян Р.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Zahn D.R.T.
Institut fur Physik, Technische Universitat Chemnitz, Chemnitz, Germany
2
Дерябин А.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Соколов Л.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Александрова Е.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Закгейм Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Криволапчук В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калыгина В.М.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Панин А.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Галиев Г.Б.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва Россия
2
Мокеров В.Г.
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва Россия
2
Коробкина Н.И.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
1
Честелли Гауди М.
Национальная лаборатория Фраскати ИНФН, Фраскати, Италия
1
Романенко С.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Karczewski G.
Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
1
Черняев С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Ерков В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Рашковецкий Л.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Ревенко М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Пожела Ю.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
1
Файзрахманов И.А.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
1
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Кулова Т.Л.
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
1
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шаймеев С.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сизов Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Протасов Д.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Герус А.В.
Фрязинский институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
1
Яковлев Р.А.
Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
1
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Махний В.П.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
1
Дижур С.Е.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Забродский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Слынько В.Е.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Тельбиз Г.М.
Институт физической химии Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Корецкая О.Б.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Ткач Н.В.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
1
Василевский Ю.Г.
Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, Минск, Республика Беларусь
1
Яновицкая З.Ш.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Chi J.Y.
Industrial Technology Research Institute, Chutung, Hsinchu, 310, Taiwan, Republic of China
1
Baranov A.N.
CEM2, Universite de Montpellier II, Montpellier, France
1
Тобола Я.
Научно-технологический университет Горно-металлургической академии, 30-059 Краков, Польша
1
Gessner T.
Zentrum fur Mikrotechnologien, Technische Universitat, Chemnitz, Germany
1
Блохин И.В.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
1
Мещерякова Н.Е.
Волгоградский государственный педагогический университет, Волгоград, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
81
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
17
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
16
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
8
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
7
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
3
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
3
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Омский филиал Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
2
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия
2
Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2
Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2
Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
2
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Wihuri Physical Laboratory, Turku University, FIN Turku, Finland
2