Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 11 » Статья стр. 1338
<<<>>>
Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращённых пластин
Милехин А.Г.1, Himcinschi C.2, Friedrich M.3, Hiller K.4, Wiemer M.4, Gessner T.4, Schulze S.3, Zahn D.R.T.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany
3Institut fur Physik, Technische Universitat Chemnitz, Chemnitz, Germany
4Zentrum fur Mikrotechnologien, Technische Universitat, Chemnitz, Germany
Поступила в редакцию: 13 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.
PDF версия
Изучены инфракрасные спектры многократного нарушенного полного внутреннего отражения и пропускания кремниевых пластин, полученных методом прямого сращивания (бондинга) в широком диапазоне температур (200-1100oC). Исследованы свойства "захороненного" на границе раздела слоя окисла кремния в зависимости от температуры отжига. Показано, что толщина слоя SiO2 растет с увеличением температуры отжига с 4.5 до 6.0 нм. Анализ частот оптических фононов показал, что с ростом температуры отжига происходит релаксация механических напряжений в слое SiO2. Исследовано изменение характера химических связей на границе раздела кремниевых пластин, сращённых при низкой температуре (20-400oC), в зависимости от химической обработки поверхности пластин перед бондингом. Предложены модели процесса низкотемпературного бондинга после различной химической активации поверхности. PACS: 81.20.Vj, 81.65.Cf, 78.30.Am
  1. Q.-Y. Tong, U. Gosele. Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology (Electrochemical Society, N.Y., 1999)
  2. Q.-Y. Tong, W.J. Kim, T.-H. Lee, U. Gosele. Electrochem. Sol. St. Lett., 1, 52 (1998)
  3. K. Hiller, M. Wiemer, C. Kaufmann, S. Kurth, K. Kehr, T. Gessner, W. Dotzel, A. Milekhin, M. Frierich, D.R.T. Zahn. Proc. 10th Int. Conf. on Solid-State Sensors and Actuators, Transducers' 99 (Sendai, 1999) p. 1448
  4. D. Feijoo, Y.J. Chabal, S.B. Christman. Appl. Phys. Lett., 65, 2548 (1994)
  5. R. Stengl, T. Tan, U. Goesele. Jap. J. Appl. Phys., 28, 1735 (1989)
  6. M.K. Weldon, Y.J. Chabal, D.R. Hamann, S.B. Christman, E.E. Chaban, L.C. Feldman. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 3095 (1996)
  7. M.K. Weldon, V.E. Marsico, Y.J. Chabal, D.R. Hamann, S.B. Christman, E.E. Chaban. Surf. Sci., 368, 163 (1996)
  8. Y.J. Chabal, D. Feijoo, S.B. Christman, C.A. Goodwin. Electrochem. Soc. Proc., 7, 305 (1995)
  9. K.-Y. Ahn, R. Stegl, T.Y. Tan, U. Gosele, P. Smith. Appl. Phys. A, 50, 85 (1990)
  10. L. Ling, F. Shimura. J. Appl. Phys., 71, 1237 (1992)
  11. C. Himcinschi, A. Milekhin, M. Friedrich, K. Hiller, M. Wiemer, T. Gessner, S. Schulze, D.R.T. Zahn. J. Appl. Phys., 89, 1992 (2001)
  12. C. Himcinschi, A. Milekhin, M. Friedrich, K. Hiller, M. Wiemer, T. Gessner, S. Schulze, D.R.T. Zahn. Appl. Surf. Sci., 175--176, 715 (2001)
  13. C. Maleville, O. Rayssac, H. Moriceau, L. Baroux, B. Aspar, M. Bruel. Electrochem. Soc. Proc., 36, 46 (1997)
  14. D.W. Berreman. Phys. Rev., 130, 2193 (1963)
  15. A. Milekhin, M. Friedrich, K. Hiller, M. Wiemer, T. Gessner, D.R.T. Zahn. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 1733 (1999)
  16. A. Milekhin, M. Friedrich, K. Hiller, M. Wiemer, T. Gessner, D.R.T. Zahn. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1392 (2000)
  17. Y.J. Chabal. Surf. Sci. Rep., 8 (5-7), 211 (1988)
  18. W. Kern, D.A. Puotinen. RCA Rev., 31, 187 (1970)
  19. C.G. Armistead, A.J. Tyler, F.H. Hambleton, J.A. Hockey. J. Phys. Chem., 73, 3947 (1969)
  20. T.A. Michlske, B.C. Bunker. J. Appl. Phys., 56, 2686 (1984)
  21. W.P. Maszara, G. Goetz, A. Gaviglia, J.B. McKitterick. J. Appl. Phys., 64, 4943 (1988)
  22. K.T. Queeney, M.K. Weldon, J.P. Chang, Y.J. Chabal, A.B. Gurevich, J. Sapjeta, R.L. Opila. J. Appl. Phys., 87, 1322 (2000)
  23. P.N. Sen, M.F. Thorpe. Phys. Rev. B, 15, 4030 (1977)
  24. F.L. Galeener. Phys. Rev. B, 19, 4292 (1979)
  25. C. Martinet, R.A.B. Devine, M. Brunel. J. Appl. Phys., 81, 6996 (1997)
  26. K. Ishikawa, U. Uchiyama, H. Ogawa, S. Fujimura. Appl. Surf. Sci., 117/118, 212 (1997)
  27. A.B. Gurevich, M.K. Weldon, Y.J. Chabal, R.L. Opila, J. Sapjeta. Appl. Phys. Lett., 74, 1257 (1999)
  28. R.M.A. Azzam, M.M. Bashara. Ellipsometry and polarized light (Elsevier, North--Holland, 1992)
  29. Handbook of optical constants of solids, ed. by E.D. Palik (Academic Press, N.Y., 1985)
  30. Y.J. Chabal. Surf. Sci., 168, 594 (1986)
  31. P. Dumas, Y.J. Chabal, P. Jakob. Surf. Sci., 269/270, 867 (1992)
  32. H. Ogawa, T. Hattori. Appl. Phys. Lett., 61, 577 (1992)
  33. Z.H. Zhou, E.S. Aydil, R.A. Gottscho, Y.J. Chabal, R. Reif. J. Electrochem. Soc., 140 (11), 1316 (1993)
  34. M. Niwano, J. Kageyama, K. Kurita, K. Kinashi, I. Takahashi, N. Miyamoto. J. Appl. Phys., 76 (4), 2157 (1994)
  35. R.E. Pritchard, M.J. Ashwin, J.H. Tucker, R.C. Newman, E.C. Lightowlers, M.J. Binn, S.A. McQuaid, R. Falster. Phys. Rev. B, 56, 13 118 (1997)
  36. D. Lin-Vien, N.B. Colthup, W.G. Fateley, J.G. Grasselli. The handbook of infrared and Raman characteristic frequencies of organic molecules (Boston, Academic Press, 1991)
  37. J.A. Schaefer, D. Frankel, F. Stucki, W. Gopel, G.J. Lapeyre. Surf. Sci., 139, L209 (1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme