"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия
Хвостиков В.П.1, Растегаева М.Г.1, Хвостикова О.А.1, Сорокина С.В.1, Малевская А.В.1, Шварц М.З.1, Андреев А.Н.1, Давыдов Д.В.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Получены и исследованы высокоэффективные GaSb-фотоэлементы, предназначенные для преобразования мощного лазерного излучения и инфракрасного излучения эмиттеров, нагреваемых концентрированным солнечным излучением. Максимальный кпд преобразования излучения (lambda=1680 нм) полученных фотоэлементов составил 49% при плотности фототока 50-100 А/см2. Исследованы пути снижения потерь на омических контактах к антимониду галлия p- и n-типа проводимости. Минимальные значения удельного сопротивления контактов (1-3)·10-6 Ом·см2 к p-GaSb с уровнем легирования 1020 см-3 были получены при использовании контактной системы Ti/Pt/Au. Для GaSb n-типа проводимости (2·1018 см-3) минимальные значения удельного контактного сопротивления составили 3·10-6 Ом·см2 при использовании контактных систем Au(Ge)/Ni/Au и Au/Ni/Au. PACS: 84.60.Jt, 78.55.Cr, 42.79.Fk, 73.50.Pz, 72.80.Ey
  1. V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, E.V. Paleeva, S.V. Sorokina, M.Z. Shvarts. 25th IEEE Photovolt. Specialists Conf. (Washington, 1996) p. 143
  2. В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989)
  3. Ch. Heinz. Int. J. Electron., 54, 247 (1983)
  4. A. Subekti, V.W.L. Chin, T.L. Tansley. Sol. St. Electron., 39 (3), 329 (1996)
  5. K. Ikossi-Anastasiou. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 878 (1993)
  6. K. Ikossi, M. Goldenberg, J. Mittereder. Sol. St. Electron., 46, 1627 (2002)
  7. R.K. Huang, C.A. Wang, M.K. Connors, G.W. Tuner, M. Dashiell. AIP Conf. Proc., 738, 329 (2004)
  8. Z.A. Shellenbarger, G.C. Taylor, R.U. Martinelli, J.M. Carpinelli. AIP. Conf. Proc., 738, 345 (2004)
  9. D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, V. Khalfin, H. Lee, N.A. Morris, G.C. Taylor, J.C. Connolly, G.W. Charache, D.M. DePoy. Proc. Space Technology and Applications Int. Forum (1998) p. 1400
  10. M. Rolland, S. Gaillard, E. Villeman, D. Rigaud, M. Valenza. J. Phys. III France, 3, 1825 (1993)
  11. В.П. Хвостиков, О.А. Хвостикова, П.Ю. Газарян, М.З. Шварц, В.Д. Румянцев, В.М. Андреев. ФТП, 38 (8), 988 (2004)
  12. А.Н. Андреев, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, С.А. Решанов.ФТП, 32, 832 (1998)
  13. V. Malina, K. Vogel, P. Ressel, W.O. Barnard, A. Knauer. Semicond. Sci. Technol., 12, 1298 (1997)
  14. T. Yamamoto, H.K. Yoshida. Jpn. J. Appl. Phys., pt. 2, 36, L180 (1997)
  15. D.H. Youn, M. Hao, Y. Naoi, S. Mahanty, S. Sakai. Jap. J. Appl. Phys., pt. 1, 37 (9A), 4667 (1998)
  16. D.H. Youn, M. Hao, H. Sato, T. Sugahara, Y. Naoi, S. Sakai. Jpn. J. Appl. Phys., pt. 1, 37 (4A), 1768 (1998)
  17. V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, O.A. Khvostikova, P.Y. Gazaryan, S.V. Sorokina, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. 31th IEEE Photovolt. Specialists Conference (2005) p. 655

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.