"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффекты ванье-штарковской локализации в 6H-SiC планарном полевом транзисторе с p-n-переходом в качестве затвора
Санкин В.И.1, Шкребий П.П.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Исследовалась зависимость фототока короткого замыкания от напряжения Vg на затворе 6H-SiC полевого планарного транзистора. При определенном значении Vg возникала отрицательная дифференциальная фотопроводимость, которая по своим параметрам соответствовала режиму ванье-штарковских лестниц в естественной сверхрешетке 6H-SiC. При этом же значении Vg происходило достаточно резкое падение к нулю тока сток--исток Isd, что означало отсечку при напряжении, существенно меньшем ожидаемого напряжения отсечки для этой структуры. Эффект объясняется падением подвижности в режиме ванье-штарковских лестниц, уменьшением скорости ионизации донорных атомов и ослаблением экранирования поля. PACS: 85.30.Tv, 71.70.Ej, 73.40.Lq
  1. G.N. Wannier. Phys. Rev., 11, 432 (1960)
  2. V.I. Sankin. ФТП, 36, 769 (2002). [Semiconductors, 36, 717 (2002)]
  3. R. Kummel, H. Rauh, E. Bangert. Phys. Status Solidi B, 87, 99 (1978)
  4. Р.А. Сурис, Б.С. Щамхалова. ФТП, 18, 178 (1984)
  5. V.V. Bryksin, Yu.A. Firsov, S.A. Ktitorov. Sol. St. Commun., 39, 385 (1982)
  6. D.Emin, C.F. Hart. Phys. Rev. B, 36, 2530 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.