"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик в полупроводниковых вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек
Блохин С.А.1, Сахаров А.В.1, Малеев Н.А.1, Кузьменков А.Г.1, Новиков И.И.1, Гордеев Н.Ю.1, Шерняков Ю.М.1, Максимов М.В.1, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1, Ковш А.Р.2, Михрин С.С.2, Lee G.3, Chi J.Y.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
3Industrial Technology Research Institute, Chutung, Hsinchu, 310, Taiwan, Republic of China
Поступила в редакцию: 6 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Экспериментально исследована температурная зависимость величины порогового тока для полупроводникового вертикально излучающего лазера на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек. Продемонстрировано, что для корректного описания температурных характеристик приборов следует использовать величину рассогласования между длиной волны генерации и максимумом спектра усиления (расстройку). Предложена форма описания температурной зависимости порогового тока вертикально излучающего лазера, учитывающая не только падение максимального усиления активной области с температурой, но и влияние температурной зависимости величины расстройки. PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb, 73.21.La
  1. C.W. Wilmsen, H. Temkin, L.A. Coldren. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Cambridge University Press, 1999)
  2. J. Cheng, N.K. Duttan. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers: Technology and Applications (Gordon and Breach Science Publishers, 2000)
  3. M. Osinski, W. Nakwaski. Int. J. High Speed Electron. Syst., 5, 139 (1994)
  4. M.S. Unlu, S. Strite. J. Appl. Phys., 78, 607 (1995)
  5. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
  6. G. Hasnain, K. Tai, L. Yang, Y.H. Wang, R.J. Fischer, J.D. Wynn, B. Weir, N.K. Dutta, A.Y. Cho. IEEE J. Quant. Electron, 27, 1377 (1991)
  7. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Y. Egorov, N.A. Maleev. Quantum dot lasers (Oxford University Press, 2003)
  8. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett. 35, 1845 (1999)
  9. A. Bond, P.D. Dapkus, J.D. O'Brien. IEEE Photon. Technol. Lett., 10, 13 627 (1998)
  10. С.А. Блохин, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Ю.М. Шерняков, И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, В.В. Дюделев, Г.С. Соколовский, В.И. Кучинский, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 40, 633 (2006)
  11. С.А. Блохин, А.Н. Смирнов, А.В. Сахаров, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, Д.А. Бедарев, Е.В. Никитина, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 39, 782 (2005)
  12. D.B. Young, J.W. Scott, F.H. Peters, M.G. Peters, M.L. Majewski, B.J. Thibeault, S.W. Corzine, L.A. Coldren. IEEE J. Quant. Electron., 29, 2013 (1993)
  13. J.W. Scott, R.S. Geels, S.W. Corzine, L.A. Coldren. IEEE J. Quant. Electron., 29, 1295 (1993)
  14. A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mihkrin, D.A. Livshits, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.A. Pihtin, I.S. Tarasov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, J.S. Wang, L. Wie, G. Lin, J.Y. Chi, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Microelectronics J., 34, 491 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.