"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц
Иванов А.М.1, Лебедев А.А.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 января 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Выполненные на основе современных CVD-пленок SiC детекторы облучались протонами с энергией 8 МэВ при дозе 3· 1014 см-2. Концентрация первично введенных дефектов составила ~ 1017 см-3, что на 3 порядка величины превысило содержание исходных нескомпенсированных доноров. Наступившая глубокая компенсация проводимости позволила проводить измерения характеристик детекторов в двух режимах включения --- обратном и прямом направлении. Основные характеристики сравнительно с дозой 1· 1014 см-2 ухудшались не более чем в 1.7 раза. Однако наблюдалось возникновение эдс поляризации, что указывает на накопление радиационными дефектами объемного заряда. PACS: 85.60.Gz
  1. http://rd50.web.cern,ch/rd50/
  2. А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Н.Б. Строкан. ФТП, 40, 886 (2006)
  3. А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
  4. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, А.А. Лебедев, В.В. Козловский, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 841 (2004)
  5. Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 24, (5), 44 (1998)
  6. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053 706 (2005)
  7. В.К. Еремин, Н.Б. Строкан, О.П. Чикалова-Лузина. ФТП, 19, 70 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.