"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Окислительно-гравиметрическая порометрия макропористого кремния
Нечитайлов А.А.1, Астрова Е.В.1, Кукушкина Ю.А.1, Каменева С.Ю.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Предложен и опробован простой неразрушающий метод определения площади внутренней поверхности, пористости, диаметра и плотности пор в макропористом кремнии со сквозными каналами. Пористость p находят из потери массы в процессе анодирования, площадь поверхности на единицу объема Sv --- из массы двуокиси кремния, образующейся на поверхности пор в результате термического окисления. Приводятся соотношения для определения средних диаметра d и плотности пор N из полученных p и Sv. Проведены исследования удельной площади поверхности и пористости в зависимости от удельного сопротивления исходного n-Si в диапазоне rho=3-25 Ом · см в образцах с упорядоченной и самоорганизующейся решеткой макропор. Полученные значения лежат в диапазоне p=27-50%, Sv=2800-6000 см2/см3, d=1.9-6.5 мкм, N=1.4-10· 106 см-2 и согласуются с данными микроскопических исследований. PACS: 61.43.Gt, 81.05.Rm, 81.65.Mg
  1. V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Wiley-VCH Verlag GmbH, 2002) p. 277
  2. H.L. Maynard, J.P. Meyers. Small Fuell Cells 2000: 2nd Annual Small Fuel Cells and Battery Technologies for Portable Power Applications Int. Symp. (New Orleans)
  3. L. Ohlsen. Extended Abstracts 4th Int. Conf. Porous Semiconductors --- Science and Technology, Cullera-Valenicia, Spain 14-19.03.2004, ed. by L. Canham, A. Nissiopoulou, V. Parkhutik, Abstract I-3
  4. T. Pichonat, B. Gauthier-Manuel. J. Micromech. Microeng., 15, S179 (2005)
  5. Т.Г. Плаченов, С.Д. Колесенцев. Порометрия (Л., Химия, 1988) с. 100
  6. A. Halimaoui. Porous Silicon: material processing, properties and applications. In: Porous Silicon. Science and Technology. Winter school. Les Houches, 1994, ed. by J.C. Vial, J. Derrien (Springer-Verlag Berlin Heidelberg, Les Editions de Physique les Ulis, 1995) p. 38
  7. Р. Бургер, Р. Донован. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия (М., Мир, 1969). [Пер. с англ.: В.Н. Мордкович, Ф.П. Пресс] с. 99

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.