"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Морфология, двойникование и фотолюминесценция кристаллов ZnTe, выращенных методом химического синтеза компонентов из паровой фазы
Клевков Ю.В.1, Мартовицкий В.П.1, Багаев В.С.1, Кривобок В.С.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Исследованы особенности роста, дефектная структура и фотолюминесценция кристаллитов ZnTe, полученных на стенках кристаллизатора при температуре 650oC в режиме быстрого роста из пересыщенных паров исходных компонентов. Каждый отдельный кристаллит размером до 10 мм имеет общую ось [011], вокруг которой сдвойниковано несколько индивидов. Совершенные фрагменты отдельных индивидов сложены одной системой плоских макрослоев (110) толщиной в несколько десятков микрометров каждый. Монокристаллическая пластина толщиной 0.8 мм, содержащая на одной стороне слои роста (110), пересекается системой перпендикулярных к ростовой поверхности двойниковых границ (111) с понижением числа границ на внешней ростовой поверхности. Спектры фотолюминесценции подтверждают структурное совершенство полученных кристаллов. PACS: 61.66.Fn, 61.72.Mm, 78.55.Et
  1. Ю.Ю. Логинов, П.Д. Браун, К. Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках AIIBVI (М., Логос, 2003)
  2. K. Durose, G.J. Russel, J. Woods. J. Cryst. Growth, 72, 85 (1985)
  3. K. Durose, G.J. Russel. J. Cryst. Growth, 86, 471 (1988)
  4. R. Triboulet, G. Didier. J. Cryst. Growth, 28, 29 (1975)
  5. Y. Yan, M.M. Al-Jassim, T. Demuth. J. Appl. Phys., 90, 3952 (2001)
  6. Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, P.V. Shapkin. J. Cryst. Growth, 214/215, 870 (2000)
  7. Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, С.А. Медведев. ФТП, 37, 129 (2003)
  8. В.С. Багаев, Т.И. Галкина, А.И. Шарков, А.Ю. Клоков, В.П. Мартовицкий, В.В. Зайцев, Ю.В. Клевков. ФТТ, 45, 1941 (2003)
  9. Т.И. Галкина, А.Ю. Клоков, А.И. Шарков, Ю.В. Коростелин, В.В. Зайцев. ФТП, 37 (5), 539 (2003)
  10. K. Sato, Y. Seki, Y. Matsuda, O. Oda. J. Cryst. Growth, 197, 413 (1999).
  11. Г.Г. Леммлейн. Секториальное строение кристаллов (М., Л., Изд-во АН СССР, 1948)
  12. Процессы реального кристаллообразования, под. ред. Н.В. Белова (М., Наука, 1977)
  13. A.R. Lang. J. Cryst. Growth, 23, 151 (1974)
  14. Yu.L. Orlov, N.A. Bulienkov, V.P. Martovitsky. Phys. Chem. Minerals, 8, 105 (1982)
  15. Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977) с. 304
  16. А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Ч.С. Багдасаров и др. Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов (М., Наука, 1980)
  17. T. Kuroda, R. Lacmann. J. Cryst. Growth, 56, 189 (1982)
  18. A. Trayanov, D. Nenow. J. Cryst. Growth, 74, 375 (1986)
  19. С.А. Строителев. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников (Новосибирск, Наука, 1976)
  20. К. Сангвал. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение (М., Мир, 1990)
  21. Ю.Л. Орлов. Минералогия алмаза (М., Наука, 1973)
  22. В.П. Мартовицкий, Ю.П. Солодова. Минерал. журн., 7, 40 (1985)
  23. S.H. Shin, L.A. Moudy, D.T. Cheung. Appl. Phys. Lett., 43, 68 (1983)
  24. M. Said, M.A. Kanehisa. J. Cryst. Growth, 101, 488 (1990)
  25. P.J. Dean, M.J. Kane, N. Magnea, F. de Maigret, L.S. Dang, A. Nahmani, R. Romestain, M.S. Skolnick. J. Phys. C, 18, 6185 (1985)
  26. P.J. Dean, H. Venghaus. Phys. Rev. B, 21 (4), 1596 (1980)
  27. Экситоны, под ред. Э.И. Рашбы, М.Д. Стерджа (М., Наука, 1985)
  28. B.A. Wilson, C.E. Bonner, R.D. Feldman, R.F. Austin, D.W. Kisker, J.J. Krajewski, P.M. Bridenbaugh. J. Appl. Phys., 64 (6), 310 (1988).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.