Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Морфология, двойникование и фотолюминесценция кристаллов ZnTe, выращенных методом химического синтеза компонентов из паровой фазы
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 27 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.
Исследованы особенности роста, дефектная структура и фотолюминесценция кристаллитов ZnTe, полученных на стенках кристаллизатора при температуре 650oC в режиме быстрого роста из пересыщенных паров исходных компонентов. Каждый отдельный кристаллит размером до 10 мм имеет общую ось [011], вокруг которой сдвойниковано несколько индивидов. Совершенные фрагменты отдельных индивидов сложены одной системой плоских макрослоев (110) толщиной в несколько десятков микрометров каждый. Монокристаллическая пластина толщиной 0.8 мм, содержащая на одной стороне слои роста (110), пересекается системой перпендикулярных к ростовой поверхности двойниковых границ (111) с понижением числа границ на внешней ростовой поверхности. Спектры фотолюминесценции подтверждают структурное совершенство полученных кристаллов. PACS: 61.66.Fn, 61.72.Mm, 78.55.Et
- Ю.Ю. Логинов, П.Д. Браун, К. Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках AIIBVI (М., Логос, 2003)
- K. Durose, G.J. Russel, J. Woods. J. Cryst. Growth, 72, 85 (1985)
- K. Durose, G.J. Russel. J. Cryst. Growth, 86, 471 (1988)
- R. Triboulet, G. Didier. J. Cryst. Growth, 28, 29 (1975)
- Y. Yan, M.M. Al-Jassim, T. Demuth. J. Appl. Phys., 90, 3952 (2001)
- Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, P.V. Shapkin. J. Cryst. Growth, 214/215, 870 (2000)
- Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, С.А. Медведев. ФТП, 37, 129 (2003)
- В.С. Багаев, Т.И. Галкина, А.И. Шарков, А.Ю. Клоков, В.П. Мартовицкий, В.В. Зайцев, Ю.В. Клевков. ФТТ, 45, 1941 (2003)
- Т.И. Галкина, А.Ю. Клоков, А.И. Шарков, Ю.В. Коростелин, В.В. Зайцев. ФТП, 37 (5), 539 (2003)
- K. Sato, Y. Seki, Y. Matsuda, O. Oda. J. Cryst. Growth, 197, 413 (1999).
- Г.Г. Леммлейн. Секториальное строение кристаллов (М., Л., Изд-во АН СССР, 1948)
- Процессы реального кристаллообразования, под. ред. Н.В. Белова (М., Наука, 1977)
- A.R. Lang. J. Cryst. Growth, 23, 151 (1974)
- Yu.L. Orlov, N.A. Bulienkov, V.P. Martovitsky. Phys. Chem. Minerals, 8, 105 (1982)
- Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977) с. 304
- А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Ч.С. Багдасаров и др. Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов (М., Наука, 1980)
- T. Kuroda, R. Lacmann. J. Cryst. Growth, 56, 189 (1982)
- A. Trayanov, D. Nenow. J. Cryst. Growth, 74, 375 (1986)
- С.А. Строителев. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников (Новосибирск, Наука, 1976)
- К. Сангвал. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение (М., Мир, 1990)
- Ю.Л. Орлов. Минералогия алмаза (М., Наука, 1973)
- В.П. Мартовицкий, Ю.П. Солодова. Минерал. журн., 7, 40 (1985)
- S.H. Shin, L.A. Moudy, D.T. Cheung. Appl. Phys. Lett., 43, 68 (1983)
- M. Said, M.A. Kanehisa. J. Cryst. Growth, 101, 488 (1990)
- P.J. Dean, M.J. Kane, N. Magnea, F. de Maigret, L.S. Dang, A. Nahmani, R. Romestain, M.S. Skolnick. J. Phys. C, 18, 6185 (1985)
- P.J. Dean, H. Venghaus. Phys. Rev. B, 21 (4), 1596 (1980)
- Экситоны, под ред. Э.И. Рашбы, М.Д. Стерджа (М., Наука, 1985)
- B.A. Wilson, C.E. Bonner, R.D. Feldman, R.F. Austin, D.W. Kisker, J.J. Krajewski, P.M. Bridenbaugh. J. Appl. Phys., 64 (6), 310 (1988).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
