"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Монте-Карло моделирование эффекта Дембера в n-InAs при фемтосекундном лазерном возбуждении
Малевич В.Л.1
1Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 18 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Методом Монте-Карло рассчитана фотоэдс Дембера, а также исследована генерация электромагнитных терагерцовых импульсов в арсениде индия, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением. Динамика электрического поля и транспорт носителей тока рассчитывались самосогласованным образом. Показано, что при возбуждении полупроводника лазерными импульсами с энергией кванта homega=<sssim 1.5 эВ фотоэдс достигает максимальной величины через 50-100 фс после возбуждения, а затем затухает, осциллируя с плазменной частотой. Величина фотоэдс в максимуме может намного (в десятки раз) превосходить типичные значения эдс Дембера при стационарном освещении. При возбуждении полупроводника более коротковолновым излучением (homega>~= 1.6 эВ) фотоэлектроны рассеиваются в боковые L- и X-долины, в результате чего фотоэдс и эффективность генерации терагерцового излучения уменьшаются. PACS: 78.47.+p, 78.70.Gg, 73.50.Mx
  1. X.C. Zhang, B.B. Hu, J.T. Darrow, D.H. Auston. Appl. Phys. Lett., 56, 1011 (1990)
  2. H. Takahashi, H. Murakami, H. Ohtake, N. Sarukura. Topics Appl. Phys., 89, 425 (2003)
  3. R. Kersting, J.N. Heyman, G. Strasser, K. Unterrainer. Phys. Rev, B, 58, 4553 (1998)
  4. P. Gu, M. Tani, S. Kono, K. Sakai, X.-C. Zhang. J. Appl. Phys., 91, 5533 (2002)
  5. M.B. Johnston, D.M. Wkittaker, A. Corchia, A.G. Davies, E.H. Linfield. Phys. Rev. B, 65, 165 301 (2002)
  6. H. Takahashi, Y. Suzuki, M. Sakai, S. Ono, N. Sarukura, T. Sugiura, T. Hirosumi, M. Yoshida. Appl. Phys. Lett., 82, 2005 (2003)
  7. J.N. Heyman, P. Neocleous, D. Hebert, P.A. Crowell, T. Muller, K. Unterrainer. Phys. Rev. B, 64, 085 202 (2001)
  8. H. Takahashi, A. Quema, M. Goto, S. Ono, N. Sarukara. Jap. J. Appl. Phys., Pt 2, 42, 1259 (2003)
  9. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977) с. 188. [Пер. с англ.: K. Seeger. Semiconductor Physics (Wien-N. Y., Springer-Verlag, 1973)]
  10. В.И. Белиничер, В.Н. Новиков. ФТП, 16, 1184 (1982)
  11. А.В. Ефанов, М.В. Энтин. ФТП, 20, 20 (1986)
  12. Р. Хокни, Дж. Иствуд. Численное моделирование методом частиц (М., Мир, 1987). [Пер. с англ.: R.W. Hockney, J.W. Eastwood. Computer Simulation Using Particles (N. Y., McGraw-Hill, 1981)]
  13. V.L. Malevich. Semicond. Sci. Technol., 17, 551 (2002)
  14. K. Brennan, K. Hess. Sol. St. Electron., 27, 347 (1984)
  15. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, И.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  16. В.И. Белиничер, С.М. Рывкин. ЖЭТФ, 81, 353 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.