"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экситоны и поляритоны в полупроводниковых твердых растворах AlGaAs
Сейсян Р.П.1, Кособукин В.А.1, Маркосов М.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

Для полупроводниковых твердых растворов AlxGa1-xAs с x=0.15 и 0.21 при температурах T=1.7-380 K измерялись спектр края поглощения и температурная зависимость интегрального коэффициента поглощения света. Результаты обсуждаются на основе двух моделей экситон-поляритонного переноса энергии возбуждения, которые в системах со случайным экситонным потенциалом могут привести к непостоянству интегрального поглощения при низких температурах. В одном случае температурная аномалия в поглощении рассматривается как результат конкуренции экситонного и электромагнитного переноса в квазиоднородной среде (виртуальном кристалле) с пространственной дисперсией. В другом случае эффект связан с переизлучением резонансных локализованных экситонов вдоль конечных цепочек квантовых ям в отсутствие экситонного переноса. На основании наблюдений характерной температурной зависимости интегрального поглощения сделан вывод о существовании экситонных поляритонов в исследованных твердых растворах. Для твердого раствора Al0.15Ga0.85As найдена критическая температура Tc=155 K, выше которой интегральное поглощение насыщается. Показано, что для твердых растворов при T=1.7-60 K домнирующим является неоднородное уширение экситонной линии флуктуирующим потенциалом, которое существенно превышает однородное уширение, обусловленное взаимодействием экситонов с фононами и заряженными примесями. PACS: 71.35.-y, 71.35.Cc, 71.36.+c, 71.55.Eq
  1. Экситоны, под ред. Е.И. Рашбы, М.Д. Стержа (М., 1985)
  2. S. Permogorov, A. Reznitsky, S. Verbin, G.O. Miller, P. Flogel, M. Nikiforova. Phys. Status Solidi B, 113, 589 (1982)
  3. A. Klochikhin, A. Reznitsky, S. Permogorov, T. Breitkorf, M. Grun, M. Herrerich, C. Klingshirn, V. Lyssenko, W. Langbein, J.M. Hvam. Phys. Rev. B, 59, 12 947 (1999)
  4. Н.Н. Аблязов, М.Э. Райх, А.Л. Эфрос. ФТТ, 25, 353 (1983)
  5. A.L. Efros, M.E. Raikh. In: Optical Properties of Mixed Crystals, ed. by R.J. Elliott, I.P. Ipatova (Elsevier, 1988) p. 133
  6. S.M. Lee, K.K. Bajaj. J. Appl. Phys., 73, 1788 (1993)
  7. С.И. Пекар. Кристаллооптика и добавочные световые волны (Киев, Наук. думка, 1982)
  8. В.И. Сугаков, В.Н. Хотяинцев. ЖЭТФ, 70, 1566 (1976)
  9. F.L. Galeener, G. Lukovsky. Phys. Rev. Lett., 37, 1474 (1976); K. Sekimoto, T. Matsubara. Phys. Rev. B, 26, 3411 (1982); S.W. Leeuw, M.F. Thorpe. Phys. Rev. Lett., 55, 2879 (1985)
  10. H.L. Lemberg, S.A. Rice, D. Guidotti. Phys. Rev. B, 10, 4079 (1974)
  11. А.Г. Банщиков, В.Е. Корсуков, В.А. Кособукин. ФТТ, 19, 3322 (1977)
  12. N.I. Afanasieva, E.G. Brame, M.G. Ezernitskaya, B.V. Lokshin, V.A. Yakovlev, G.N. Zhizhin. Polymer, 29, 821 (1988)
  13. В.А. Кособукин. ФТТ, 45, 1091 (2003)
  14. К.С. Журавлев, А.К. Калагин, Н.Т. Мошегов, А.И. Торопов, Т.С. Шамирзаев, О.А. Шегай. ФТП, 30, 1704 (1996)
  15. R.P. Seisyan, V.A. Kosobukin, S.A. Vaganov, M.S. Markosov, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.K. Bakarov, A.I. Toropov. Phys. Status Solidi C, 2, 900 (2005)
  16. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, В.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
  17. А.С. Давыдов. Теория твердого тела (М., Наука, 1976)
  18. Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 79, 1534 (1980)
  19. J.S. Nkoma. Phys. Status Solidi B, 97, 657 (1980)
  20. G. Battaglia, A. Quattropani, P. Schwendimann. Phys. Rev. B, 34, 8258 (1986)
  21. В.А. Кособукин, М.М. Моисеева. ФТТ, 37, 3694 (1995)
  22. V.A. Kosobukin. Phys. Status Solidi B, 108, 271 (1998)
  23. J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev., 132, 563 (1963)
  24. В.М. Агранович, В.Л. Гинзбург. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов (М., Наука, 1979)
  25. V.A. Kiselev, B.S. Razhbirin, I.N. Uraltsev. Phys. Status Solidi B, 72, 161 (1975)
  26. А.И. Екимов, А.А. Онущенко, М.Э. Райх, Ал. Л. Эфрос. ЖЭТФ, 90, 1795 (1986)
  27. A. Tredicucci, Y. Chen, F. Bassani, J. Massiers, C. Deparis, G. Neu. Phys. Rev. B, 47, 10 348 (1993)
  28. С.А. Марков, Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин. ФТП, 38, 230 (2004)
  29. S. Rudin, T.L. Reinecke, B. Segall. Phys. Rev. B, 42, 11 218 (1990)
  30. A.V. Selkin. Phys. Status Solidi B, 83, 47 (1977)
  31. R. Loudon. J. Phys. A, 3, 233 (1970)
  32. V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Technol., 8, 1235 (1993)
  33. Г.Н. Алиев, О.С. Кощуг, Р.П. Сейсян. ФТТ, 36, 373 (1994)
  34. G.N. Aliev, O. Coschug-Toates, R.P. Seisyan. J. Cryst. Growth, 159, 843 (1996)
  35. Г.Н. Алиев, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян. ФТТ, 40, 869 (1998)
  36. D.S. Gerber, G.N. Maracas. J. Quant. Electron., 29, 2589 (1993)
  37. L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
  38. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, ed. by K.-H. Hellwege (LANDOLT-BORNSTEIN), Group III, v. 17 b (Springer, Berlin, 1982)
  39. Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
  40. J. Lee, E.S. Koteles, M.O. Vassell. Phys. Rev. B, 33, 5512 (1986); V. Srinivas, Y.J. Chen, C.E.C. Wood. Sol. St. Commun., 89, 611 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.