Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади на основе InGaAs/InP

Малышев С.А.¹, Чиж А.Л.¹, Василевский Ю.Г.¹

¹Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, Минск, Республика Беларусь

Поступила в редакцию: 27 января 2006 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработана стационарная физико-топологическая модель p-i-n-фотодиода на основе двумерного дрейфово-диффузионного описания процессов переноса носителей заряда в многослойных гетероструктурах In_xGa_1-xAs_yP_1-y/InP с учетом функции распределения Ферми-Дирака для электронов и дырок, зависимости подвижности от концентрации легирующей примеси и напряженности электрического поля, а также термоэлектронной эмиссии и туннелирования носителей заряда на гетерограницах. Проведен анализ влияния конструктивных параметров на характеристики p-i-n-фотодиода большой площади и предложены пути расширения его динамического диапазона. PACS: 73.40.Kp, 78.66.Fd, 85.30.De, 85.60.Dw

V. Palankovski, R. Quay. Analysis and simulation of heterostructure devices (Wien, Springer, 2004)
И.И. Абрамов, В.В. Харитонов. Численное моделирование элементов интегральных схем (Минск, Вышайш. шк., 1990)
K. Yang, J. East, G. Haddad. Sol. St. Electron., 36 (3), 321 (1993)
A. Grinberg, S. Luryi. IEEE Trans. Electron. Dev., 7 (45), 1561 (1998)
А.Н. Тихонов, А.А. Самарский. Уравнения математической физики (М., Наука, 1972)
R. Barrett, M. Berry, T.F. Chan, J. Demmel, J. Donato, J. Dongarra, V. Eijkhout, R. Pozo, C. Romine, H. Van der Vorst. Templates for the Solution of Linear Systems: Building Blocks for Iterative Methods. 2nd ed. (Philadelphia, SIAM, 1994)
Y. Chen, W. Hsu, R. Hsu, Y. Wu, Y. Chen. Jap. J. Appl. Phys., 42 (7a), 4249 (2003)
K. Williams, R. Esman. J. Lightwave Technol., 17 (8), 1443 (1999)
S. Malyshev, A. Chizh, V. Andrievski. Proc. 12th European Symp. "Gallium Arsenide and Other Compound Semiconductor Application" (Amsterdam, Netherlands, 2004) p. 283

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель