"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика
Векслер М.И.1, Тягинов С.Э.1, Шулекин А.Ф.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

Изучается влияние неоднородности распределения толщины диэлектрика на поведение туннельных МОП структур Al/SiO2/p-Si с толщиной диэлектрика 1--4 нм. Характер и степень этого влияния зависят от прикладываемого напряжения. При любых условиях наличие неоднородности толщины SiO2 увеличивает сквозные токи по сравнению с токами через однородный окисел той же номинальной толщины. Кроме того, в режиме инверсии изменяется потенциал инверсионного слоя. При расчетах учитываются туннельный перенос между зоной проводимости Si и металлом, между валентной зоной Si и металлом (в том числе в режиме инверсии --- резонансный транспорт, из-за неоднородности толщины он проявляется менее отчетливо), а также туннелирование зона--зона в полупроводнике. PACS: 85.30.Mn, 73.40.Qv, 73.40.Gk
  1. H.S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, S. Nakamura, M. Saito, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43 (8), 1233 (1996)
  2. International Technology Roadmap for Semiconductors. http:// public.itrs.net (2004)
  3. H.S. Momose, S.-I. Nakamura, T. Ohguro, T. Yoshitomi, E. Morifuji, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45 (3), 691 (1998)
  4. B. Majkusiak, A. Strojwas. J. Appl. Phys., 74 (9), 5638 (1993)
  5. С.Э. Тягинов, М.И. Векслер, А.Ф. Шулекин, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 30 (24), 7 (2004)
  6. M. Houssa, T. Nigam, P.W. Mertens, M.M. Heyns. Sol. St. Electron., 43 (1), 159 (1999)
  7. M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 47 (8), 1283 (2003)
  8. M.I. Vexler, A. El Hdiy, D. Grgec, S.E. Tyaginov, R. Khlil, B. Meinerzhagen, A.F. Shulekin, I.V. Grekhov. Microelectronics J., 37 (2), 114 (2006)
  9. Т. Андо, А.В. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) гл. 3
  10. Г.Г. Карева. ФТП, 33 (8), 969 (1999)
  11. C.-H. Choi, J.-S. Goo, T.Y. Oh, Z. Yu, R.W. Dutton, A. Bayoumi, M. Cao, P.V. Voorde, D. Vook, C.H. Diaz. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-20 (6), 292 (1999)
  12. E. Cartier, J.C. Tsang, M.V. Fischetti, D.A. Buchanan. Microelectron. Eng., 36, 103 (1997)
  13. I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler. Proc. 8-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2000) p. 502
  14. R. Ludeke. IBM J. Res. Develop., 44 (4), 517 (2000)
  15. A. Ohta, M. Yamaoka, S. Miyazaki. Microelectron. Eng., 72 (1--4), 154 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.