Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 22 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
Изучается влияние неоднородности распределения толщины диэлектрика на поведение туннельных МОП структур Al/SiO2/p-Si с толщиной диэлектрика 1-4 нм. Характер и степень этого влияния зависят от прикладываемого напряжения. При любых условиях наличие неоднородности толщины SiO2 увеличивает сквозные токи по сравнению с токами через однородный окисел той же номинальной толщины. Кроме того, в режиме инверсии изменяется потенциал инверсионного слоя. При расчетах учитываются туннельный перенос между зоной проводимости Si и металлом, между валентной зоной Si и металлом (в том числе в режиме инверсии - резонансный транспорт, из-за неоднородности толщины он проявляется менее отчетливо), а также туннелирование зона-зона в полупроводнике. PACS: 85.30.Mn, 73.40.Qv, 73.40.Gk
- H.S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, S. Nakamura, M. Saito, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43 (8), 1233 (1996)
- International Technology Roadmap for Semiconductors. http:// public.itrs.net (2004)
- H.S. Momose, S.-I. Nakamura, T. Ohguro, T. Yoshitomi, E. Morifuji, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45 (3), 691 (1998)
- B. Majkusiak, A. Strojwas. J. Appl. Phys., 74 (9), 5638 (1993)
- С.Э. Тягинов, М.И. Векслер, А.Ф. Шулекин, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 30 (24), 7 (2004)
- M. Houssa, T. Nigam, P.W. Mertens, M.M. Heyns. Sol. St. Electron., 43 (1), 159 (1999)
- M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 47 (8), 1283 (2003)
- M.I. Vexler, A. El Hdiy, D. Grgec, S.E. Tyaginov, R. Khlil, B. Meinerzhagen, A.F. Shulekin, I.V. Grekhov. Microelectronics J., 37 (2), 114 (2006)
- Т. Андо, А.В. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) гл. 3
- Г.Г. Карева. ФТП, 33 (8), 969 (1999)
- C.-H. Choi, J.-S. Goo, T.Y. Oh, Z. Yu, R.W. Dutton, A. Bayoumi, M. Cao, P.V. Voorde, D. Vook, C.H. Diaz. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-20 (6), 292 (1999)
- E. Cartier, J.C. Tsang, M.V. Fischetti, D.A. Buchanan. Microelectron. Eng., 36, 103 (1997)
- I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler. Proc. 8th Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2000) p. 502
- R. Ludeke. IBM J. Res. Develop., 44 (4), 517 (2000)
- A. Ohta, M. Yamaoka, S. Miyazaki. Microelectron. Eng., 72 (1--4), 154 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
