Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO₂/p-Si с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика

Векслер М.И.¹, Тягинов С.Э.¹, Шулекин А.Ф.¹, Грехов И.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 декабря 2005 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

PDF версия

Изучается влияние неоднородности распределения толщины диэлектрика на поведение туннельных МОП структур Al/SiO₂/p-Si с толщиной диэлектрика 1-4 нм. Характер и степень этого влияния зависят от прикладываемого напряжения. При любых условиях наличие неоднородности толщины SiO₂ увеличивает сквозные токи по сравнению с токами через однородный окисел той же номинальной толщины. Кроме того, в режиме инверсии изменяется потенциал инверсионного слоя. При расчетах учитываются туннельный перенос между зоной проводимости Si и металлом, между валентной зоной Si и металлом (в том числе в режиме инверсии - резонансный транспорт, из-за неоднородности толщины он проявляется менее отчетливо), а также туннелирование зона-зона в полупроводнике. PACS: 85.30.Mn, 73.40.Qv, 73.40.Gk

H.S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, S. Nakamura, M. Saito, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43 (8), 1233 (1996)
International Technology Roadmap for Semiconductors. http:// public.itrs.net (2004)
H.S. Momose, S.-I. Nakamura, T. Ohguro, T. Yoshitomi, E. Morifuji, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45 (3), 691 (1998)
B. Majkusiak, A. Strojwas. J. Appl. Phys., 74 (9), 5638 (1993)
С.Э. Тягинов, М.И. Векслер, А.Ф. Шулекин, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 30 (24), 7 (2004)
M. Houssa, T. Nigam, P.W. Mertens, M.M. Heyns. Sol. St. Electron., 43 (1), 159 (1999)
M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 47 (8), 1283 (2003)
M.I. Vexler, A. El Hdiy, D. Grgec, S.E. Tyaginov, R. Khlil, B. Meinerzhagen, A.F. Shulekin, I.V. Grekhov. Microelectronics J., 37 (2), 114 (2006)
Т. Андо, А.В. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) гл. 3
Г.Г. Карева. ФТП, 33 (8), 969 (1999)
C.-H. Choi, J.-S. Goo, T.Y. Oh, Z. Yu, R.W. Dutton, A. Bayoumi, M. Cao, P.V. Voorde, D. Vook, C.H. Diaz. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-20 (6), 292 (1999)
E. Cartier, J.C. Tsang, M.V. Fischetti, D.A. Buchanan. Microelectron. Eng., 36, 103 (1997)
I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler. Proc. 8^th Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2000) p. 502
R. Ludeke. IBM J. Res. Develop., 44 (4), 517 (2000)
A. Ohta, M. Yamaoka, S. Miyazaki. Microelectron. Eng., 72 (1--4), 154 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель