"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние стационарных процессов ионизации ловушек вблизи середины запрещенной зоны на спектр термостимулированной емкости полупроводниковых приборов
Булярский С.В.1, Жуков А.В.1, Светухина О.С.1, Трифонов О.А.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 25 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

Предложен алгоритм расчета параметров глубоких центров в области пространственного заряда полупроводниковых приборов из анализа кривых термостимулированной емкости при наличии центров рекомбинации, лежащих у середины запрещенной зоны. Выполнена апробация метода на промышленных GaAs-светоизлучающих диодах АЛ-107. Результаты расчета параметров глубоких центров в исследуемых материалах соответствовали результатам других методов анализа. PACS: 85.60.Jb; 72.20.Jv; 78.30.Fi
  1. M.G. Buchler. Sol. St. Electron., 69, 193 (1972)
  2. С.В. Булярский, С.И. Радауцан. ФТП, 15, 1433 (1981)
  3. С.В. Булярский, Н.С. Грушко, Г.С. Кортченко, И.П. Молодян. Деп. ВИНИТИ. N 6668-73 (1973)
  4. Е.В. Вертопрахо, Г.С. Сальман. Термостимулированные процессы в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  5. С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995)
  6. G. Martin, S. Makram-Ebeid. Phys. Rev. Lett., 54, 2 (1986)
  7. А. Милнс. Глубокие уровни в полупроводниках (М., Мир, 1978)
  8. О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.