Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние стационарных процессов ионизации ловушек вблизи середины запрещенной зоны на спектр термостимулированной емкости полупроводниковых приборов
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
Поступила в редакцию: 25 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
Предложен алгоритм расчета параметров глубоких центров в области пространственного заряда полупроводниковых приборов из анализа кривых термостимулированной емкости при наличии центров рекомбинации, лежащих у середины запрещенной зоны. Выполнена апробация метода на промышленных GaAs-светоизлучающих диодах АЛ-107. Результаты расчета параметров глубоких центров в исследуемых материалах соответствовали результатам других методов анализа. PACS: 85.60.Jb; 72.20.Jv; 78.30.Fi
- M.G. Buchler. Sol. St. Electron., 69, 193 (1972)
- С.В. Булярский, С.И. Радауцан. ФТП, 15, 1433 (1981)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко, Г.С. Кортченко, И.П. Молодян. Деп. ВИНИТИ. N 6668-73 (1973)
- Е.В. Вертопрахо, Г.С. Сальман. Термостимулированные процессы в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995)
- G. Martin, S. Makram-Ebeid. Phys. Rev. Lett., 54, 2 (1986)
- А. Милнс. Глубокие уровни в полупроводниках (М., Мир, 1978)
- О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
