Исследовались кремниевые диоды с p⁺-n-переходом, облученные быстрыми электронами (энергия E=3.5 МэВ, флюенс Phi=4·10¹⁶ см^-2). Индуктивность диодов (L) измерялась на частоте f=1 МГц при амплитуде переменного тока 0.25 мА. Одновременно с измерением L на переменном токе через включенный в прямом направлении диод пропускался постоянный ток, что приводило к инжекции в базу неосновных носителей заряда. Для выяснения механизмов возникновения импеданса индуктивного типа в облученных диодах с p⁺-n-переходом, а также для идентификации основных радиационных дефектов, непосредственно принимающих участие в его возникновении, был проведен изохронный отжиг в диапазоне температур T_a=225-375^oC с последующим исследованием основных характеристик дефектов методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS). Показано, что импеданс индуктивного типа в облученных диодах определяется процессами захвата и удержания инжектированных в базу носителей заряда на центрах прилипания в течение времени ~1/2f, т. е. полупериода колебаний. Показано также, что центрами прилипания являются комплексы вакансия-кислород, вводимые облучением. PACS: 85.30.Kk, 73.40.Lq, 71.55.Cn, 61.80.Fe

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.