Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния ультразвукового воздействия на генерационные характеристики предварительно облученной границы раздела кремний--диоксид кремния

Парчинский П.Б.¹, Власов С.И.¹, Лигай Л.Г.¹

¹Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан Mirzo Ulug’bek National University of Uzbekistan, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 9 июня 2004 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При помощи метода релаксации неравновесной емкости структуры металл-окисел-полупроводник изучено влияние ультразвукового воздействия на генерационные параметры границы раздела Si-SiO₂, облученной gamma-квантами. Обнаружено уменьшение генерационного времени жизни под влиянием ультразвуковой обработки. Показано, что в облученных и необлученных структурах изменение генерационных параметров под влиянием ультразвука носит существенно различный характер. PACS: 73.40.Qv, 73.20.Hb, 61.80.Ed, 73.50.Gr

В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
Ю.С. Чистов, В.Ф. Сыноров. Физика МДП-структур (Воронеж, Изд-во ВГУ, 1986)
В.Я. Киблик, Р.О. Литвинов, В.Г. Литовченко, Н.М. Литвиненко. Укр. физ. журн., 22, 1097 (1977)
С.З. Зайнабидинов, Ш.Х. Йулчиев, П.Б. Парчинский. Узб. физ. журн., 3, 201 (2001)
П.Б. Парчинский, С.И. Власов, Р.А. Муминов, Х.Х. Исмаилов, У.Т. Тургунов. Письма ЖТФ, 26 (10), 40 (2000)
И.В. Островский, Л.П. Стебленко, А.Б. Надточий. ФТП, 34, 257 (2000)
Е.Ю. Брайловский, А.П. Здебский, В.Л. Корчная, Г.Н. Семенова, М.Я. Скороход, Ю.А. Тихорин, Л.С. Хазан, М.К. Шейкман. Письма ЖТФ, 13, 1310 (1987)
И.В. Островский, Л.П. Стебленко, А.Б. Надточий. ФТТ, 42 (3), 478 (2000)
J.S. Kang, D.K. Schroder. Phys. Status Solidi A, 89, 13 (1985)
Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
П.Б. Парчинский, С.И. Власов, Л.Г. Лигай, О.Ю. Щукина. Письма ЖТФ, 29 (9), 83 (2003)
M. Zerbst. Z. Angew. Phys., 22, 3039 (1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель