Вышедшие номера
Оптические исследования двумерного фотонного кристалла с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области
Блохин С.А.1, Усов О.А.1, Нащекин А.В.1, Аракчеева Е.М.1, Танклевская Е.М.1, Конников С.Г.1, Жуков А.Е.1, Максимов М.В.1, Леденцов Н.Н.1,2, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 24 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Двумерный полупроводниковый фотонный кристалл с гексагональной решеткой субмикрометровых отверстий изготовлен путем травления планарной структуры GaAs/AlGaAs, содержащей квантовые точки InAs/InGaAs в волноводном слое. Путем анализа спектров отражения при различных углах падения и поляризации света определена структура фотонных зон. Фано-резонансы, обнаруженные в спектрах отражения при ТМ (ТЕ) поляризации вдоль направления симметрии Gamma-K (Gamma-M), связаны с резонансным взаимодействием оптически активных фотонных зон с падающим светом. Зонная структура радиационных мод утечки исследована путем измерения угловой зависимости интенсивности фотолюминесценции. Обнаруженное трехкратное увеличение интенсивности фотолюминесценции на резонансной частоте фотонного кристалла объяснено эффектом Пурселя. PACS: 42.70.Qs, 78.67.Hc, 78.66.Sq, 78.20.Ci