"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние сильных магнитных полей на фотоотклик Si : B-структур с блокированной проводимостью по примесной зоне
Аронзон Б.А.1, Драченко А.Н.1, Рыльков В.В.1, Леотин Ж.2
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2LNCMP, 143 Avenue de Rangueil, Toulouse, France
Поступила в редакцию: 9 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Исследована магнитополевая зависимость фотопроводимости Si : B-структур с блокированной проводимостью по примесной зоне (BIB-структур) с концентрацией примеси бора в активном слое ~ 1018 см-3. Измерения выполнены в импульсных магнитных полях B до 30 Тл при длительности импульса 0.8 с в диапазоне температур T=4.2-9 K при облучении структур фоном комнатной температуры интенсивностью ~ 1016 фотон/см2·c. Установлено, что в продольной геометрии, когда магнитное поле направлено параллельно электрическому полю, падение фототока с увеличением B происходит главным образом из-за уменьшения коэффициента умножения дырок M в поле и(или) из-за увеличения в поле энергии активации прыжковой проводимости в активном слое. При T=4.2 K падение фототока может достигать нескольких десятков раз. В то же время при пониженных напряжениях смещения Vb, когда M~ 1, и повышенных температурах, T~ 9 K, падение фототока не превышает 2 раз в полях ~ 30 Тл. Обнаружено также, что в поперечной геометрии (магнитное поле перпендикулярно электрическому полю) влияние магнитного поля на фотоотклик структуры существенно увеличивается (при T=4.2 K более чем на порядок). Данный факт объясняется эффектами накопления заряда в нелегированном слое BIB-структур из-за увеличения времени пролета дырками этого слоя, связанного с сильным искривлением траекторий их движения в поперечной геометрии. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.50.Jt.
  1. J.E. Huffman, A.G. Crouse, B.L. Halleck, T.V. Downes, T.L. Herter. J. Appl. Phys., 72, 273 (1992)
  2. Д.Г. Есаев, С.П. Синица. ФТП, 35, 474 (2001)
  3. D. Smirnov, C. Becker, O. Drachenko, V.V. Rylkov, H. Page, J. Leotin, C. Sirtory. Phys. Rev. B, 66, 121 305 (2002)
  4. C. Becker, C. Sirtory, O. Drachenko, V. Rylkov, D. Smirnov, J. Leotin. Appl. Phys. Lett., 81, 2941 (2002)
  5. А.Б. Аронзон, Д.Ю. Ковалев, А.М. Козлов, Ж. Леотин, В.В. Рыльков. ФТП, 32, 192 (1998)
  6. F. Szmulowicz, F.L. Madarsz. J. Appl. Phys., 62, 2533 (1987)
  7. V.D. Shadrin, V.T. Coon, I.K. Blokhin. Appl. Phys. Lett., 63, 75 (1993)
  8. E. Burstein, G.S. Picus, B.W. Henvis, M. Lax. Bull. Amer. Phys. Soc., 30, 13 (1955)
  9. Ш.М. Коган. ФТТ, 4, 2474 (1962)
  10. Б.А. Аронзон, Е.З. Мейлихов. ФТП, 13, 974 (1979)
  11. A. Dargys, J. Kundrotas. Lietuvos Fiz. Zurn. (review), 34, 395 (1994)
  12. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  13. В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 75, 1342 (1978)
  14. J.A. Chroboczek, F.H. Pollak, H.F. Staunton. Phyl. Mag. B, 50, 113 (1984)
  15. S. Pasquier, C. Meny, L. Asadauskas, J. Leotin, B.A. Aronzon, V.V. Rylkov, V. Conedera, N. Fabre, S. Regolini, C. Morin. J. Appl. Phys., 83, 4222 (1998)
  16. Э.Э. Годик, Ю.А. Курицин, В.П. Синис. ФТП, 12, 351 (1978)
  17. С.Г. Дмитриев, В.В. Рыльков, О.Г. Шагимуратов. ФТП, 25, 360 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.