"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора на основе диоксида олова
Анисимов О.В.1, Гаман В.И.2, Максимова Н.К.1, Мазалов С.М.1, Черников Е.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 29 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

На основе простой модели резистивного тонкопленочного сенсора получено аналитическое выражение, описывающее зависимости отклика на воздействие восстановительного газа от температуры, парциального давления газа, концентрации донорной примеси в пленке SnO2 и от времени после начала действия газа. Анализ экспериментальных данных показал, что при T<510 K процессы адсорбции и десорбции молекул H2 в основном контролируются адсорбционными центрами, занятыми кислородом в форме O-2, а при T>563 K --- центрами с O-. Молекулы метана при T>=q 510 K взаимодействуют с центрами, занятыми O-. С помощью данных по временным зависимостям отклика в широком интервале температур определены энергии активации десорбции. При T<510 K для водорода она составляет 0.36 эВ. При T>563 K для водорода и при T>510 K для метана она равна 1.3 эВ. Энергия активации адсорбции для метана равна 2.5 эВ. PACS: 07.07.Df; 73.50.Dn; 68.43.Mn
  1. J.F. McAleer, P.T. Mosely. J. Chem. Soc. Faraday Trans., 83, 1323 (1987)
  2. И.А. Мясников, В.Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях (М., Наука, 1991)
  3. О.В. Анисимов, Н.К. Максимова, Н.Г. Филонов, Л.С. Хлудкова, Е.В. Черников. Сенсор, 1, 33 (2003)
  4. O.V. Anisimov, N.K. Maksimova, N.G. Filonov, L.S. Khludkova, E.V. Chernikov. Proc. XVII Int. Meet. Chemical Sensors (Guimares, Portugal, 2003) p. 890
  5. О.В. Анисимов, Н.К. Максимова, Н.Г. Филонов, Л.С. Хлудкова, Е.В. Черников, Р.В. Черных. ЖФХ, 78 (10), 1907 (2004)
  6. G. Korotchenkov, V. Brinzari, V. Golovanov, Y. Blinov. Sens. Actuators B, 98, 41 (2004)
  7. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во НТЛ, 2000)
  8. S. Pizzoni, N. Butfo, D. Narducci, M. Palladine. J. Electrochem. Soc., 136 (7), 1945 (1989)
  9. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
  10. С.И. Рембеза, Т.В. Свистова, Е.С. Рембеза, О.И. Борсякова. ФТП, 35 (7), 796 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.