"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления
Зотова Н.В.1, Ильинская Н.Д.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Проанализированы спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики при прямом и обратном смещении, распределение ближнего поля излучения светодиодов флип-чип на основе гетероструктур с активным слоем из InAsSb (длина волны 4.2 мкм, 300 K), имеющих глубину мезы 40--50 мкм и диаметр 240 мкм. Обсуждаются фактор увеличения выхода излучения, связанный с особенностями геометрии структуры, и выбор оптимального режима работы светодиода в зависимости от рабочей температуры. PACS: 85.60.Jb
  1. A.M. Green, D.G. Gevaux, C. Roberts, C.C. Phillips. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostruct., 20, 531 (2004)
  2. F. Weik, J.W. Tomm, R. Glatthaar, U. Vetter, D. Szewczy, J. Nurnus. A. Lambrecht, L. Mechold, B. Spellenberg, M. Bassler, M. Behringer, J. Luft. Appl. Phys. Lett., 86, 041106 (2005); J.W. Tomm, F. Weik, R. Glatthaar, U. Vetter, J. Nurnus, A. Lambrecht, B. Spellenberg, M. Bassler, M. Behringer, J. Luft. Proc. SPIE, 5722, 319 (2005)
  3. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E.L. Hu, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004)
  4. V. Zabelin, D.A. Zakheim, S.A. Gurevich. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1675 (2004)
  5. Е.А. Гребенщикова, А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 38, 745 (2005). [E.A. Grebenshchikova, A.N. Imenkov, B.E. Zhurtanov, T.N. Danilova, M.A. Sipovskaya, N.V. Vlasenko, Yu.P. Yakovlev. Semiconductors, 38, 717 (2004)]
  6. T. Ashley, D.T. Dutton, C.T. Elliott, N.T. Gordon, T.J. Phillips. Proc. SPIE, 3289, 43 (1998)
  7. G.R. Nash, N.T. Gordon, D.J. Hall, M.K. Ashby, J.C. Little, G. Masterton, J.E. Hails, J. Giess, L. Haworth, M.T. Emeny, T. Ashley. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostruct., 20, 540 (2004)
  8. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A. Dazzi, N. Gross, J.-M. Ortega. J. Appl. Phys., 93, 9398 (2003)
  9. M.A. Remennyi, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostruct., 20, 548 (2004)
  10. T. Ashley, C.T. Elliott, N.T. Gordon, R.S. Hall, A.D. Johnson, G.J. Pryce. Appl. Phys. Lett., 64, 2433 (1994)
  11. B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2, 927 (2005)
  12. H.H. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 1768 (1999)
  13. M.A. Remennyi, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Sensors \& Actuators B: Chemical, 91, 256 (2003)
  14. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79, 4228 (2001)
  15. B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. J. Mod. Optics, 49, 743 (2002)
  16. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, В.В. Шустов. ФТП, 38, 1270 (2004)
  17. T. Ashley, J.G. Crowder, V.P. Mannheim, S.D. Smith. PCT patent application WO 00/02263. Published 13 January 2000
  18. A. Krier, V.V. Sherstnev. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 101 (2000)
  19. H.H. Gao, A. Krier, V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 1768 (1999)
  20. N.C. Das, G. Simonis, J. Bradshaw, A. Goldberg, N. Gupta. Proc. SPIE, 5408, 136 (2004)
  21. V.K. Malyutenko. http://optics.org/articles/news/9/4/10 (11 April 2003)
  22. M. Pullin, X. Li, J. Heber, D. Gevaux, C. Phillips. Proc. SPIE, 3938, 144 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.