"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Транзистор с туннельным МОП эмиттером как инструмент для определения эффективной массы дырки в тонкой пленке диоксида кремния
Векслер М.И.1, Тягинов С.Э.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

Экспериментально определено значение эффективной массы дырки в туннельно-тонком (2-3 нм) слое SiO2: mh=(0.32-0.33)m0. Использование этого значения обеспечивает адекватное моделирование дырочного тока прямого туннелирования в приборах на основе МОП структур. Для нахождения указанного параметра впервые применена математическая обработка характеристик транзисторов с туннельным МОП эмиттером, что дает возможность точно найти эффективную толщину окисла, поскольку эффективная масса электрона в SiO2 известна из литературы. При расчетах использовалась модель, в которой вероятность прохождения через барьер зависит только от компоненты энергии частицы Ez, связанной с движением в направлении туннелирования. PACS: 85.30.De, 73.40.Qv
  1. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., изд-во ЛГУ, 1988)
  2. International Technology Roadmap for Semiconductors, http:/public.itrs.net (2004).
  3. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  4. R.B. Laughlin. Phys. Rev. B, 22 (6), 3021 (1980)
  5. I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 38 (8) 1533 (1995)
  6. Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 33 (9), 1126 (1999)
  7. K.M. Chu, D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron Dev., ED-35 (2), 188 (1988)
  8. M. Depas, B. Vermiere, P.W. Mertens, R.L. van Meirhaeghe, M.M. Heyns. Sol. St. Electron., 38 (8), 1465 (1995)
  9. B. Brar, G.D. Wilk, A.C. Seabaugh. Appl. Phys. Lett., 69 (18), 2728 (1996)
  10. Y.T. Hou, M.F. Li, Y. Jin, W.H. Lai. J. Appl. Phys., 91 (1), 258 (2002)
  11. M.G. Ancona, Z. Yu, R.W. Dutton. P.J. Vande, M. Cao, D. Vook. IEEE Trans. Electron Dev., ED-47 (12), 2310 (2000)
  12. A. Haque, K. Alam. Appl. Phys. Lett., 81 (4), 667 (2002)
  13. K.-N. Yang, H.-T. Huang, M.-C. Chang, C.-M. Chu, Y.-S. Chen, M.-J. Chen, Y.-M. Lin, M.-C. Yu, S.M. Jang, C.H. Yu, M.S. Liang. IEEE Trans. Electron Dev., ED-47 (11), 2161 (2000)
  14. E.M. Vogel, K.Z. Ahmed, B. Hornung, W.K. Henson, P.K. McLarty, G. Lucovsky, J.R. Hauser, J.J. Wortman. IEEE Trans. Electron Dev., ED-45 (6), 1350 (1998)
  15. A. Schenk, G. Heiser. J. Appl. Phys., 81 (12), 7900 (1997)
  16. A. Ohta, M. Yamaoka, S. Miyazaki. Microelectron. Eng., 72 (1--4), 154 (2004)
  17. R. Khlil, A.El Hdiy, A.F. Shulekin, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler. Microelectronics Reliability, 44 (3), 543 (2004)
  18. A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Semicond. Sci. Technol., 14 (5), 470 (1999)
  19. C. Moglestue. J. Appl. Phys., 59 (9), 3175 (1986)
  20. W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42 (13), 5556 (1971)
  21. C. Chang, C. Hu, R.W. Brodersen. J. Appl. Phys., 57 (2), 302 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.