"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Cтруктурные дефекты на гетерограницах и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире
Кладько В.П.1, Чорненький С.В.1, Наумов А.В.1, Комаров А.В.2, Tacano M.3, Свешников Ю.Н.4, Витусевич С.А.1, Беляев А.Е.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3AMRC, Meisei University, Hino, Tokyo 19, Japan
4ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

Проведена комплексная рентгенодифрактометрическая и спектрально-оптическая характеризация эпитаксиальных слоев GaN и AlxGa1-xN (x=0.25), выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии на подложках монокристаллического сапфира (0001). Определены значения компонентов деформаций и плотности дислокаций, изучено их влияние на интенсивность и спектры фотолюминесценции. Результаты исследования позволили лучше понять природу и объяснить механизмы дефектообразования в эпитаксиальных гетероструктурах AlGaN/GaN. PACS: 61.10.Nz, 68.35.Ct, 68.55.Jk, 78.55.Cr
  1. Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 3 (1998)
  2. V.A. Kochelap, V.V. Mitin, M.A. Strocio. Quantum Heterostructures: Microelectronics and Optoelectronics (Cambridge Univ. Press, 1999)
  3. Л.А. Даценко, В.Ф. Мачулин, В.П. Кладько, В.Б. Молодкин. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей реальными кристаллами в области аномальной дисперсии (Киев, Академпериодика, 2002)
  4. H. Markoc. Nitride Semiconductors and Devices (Springer, Berlin, 1999)
  5. B.A. Danilchenko, S.E. Zelensky, E. Drok, S.A. Vitusevich, S.V. Danylyuk, N. Klein, H. Luth, A.E. Belyaev, V.A. Kochelap. Proc. 6th Int. Conf. Nitride Semicond. (Bremen, Germany, 2005) [Appl. Phys. Lett., 85, 5421 (2004)]
  6. В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.Г. Гладышев, А.В. Сахаров, М.Ф. Кокорев, Н.М. Шмидт, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алферов, Р. Каканаков. ФТП, 38, 1364 (2004)
  7. V.P. Klad'ko, L.I. Datsenko, P.M. Litvin, J. Domagala, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.F. Molodkin, Z.V. Maksimenko. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 4, 146 (2001)
  8. V. Ratnikov, R. Kyutt, T. Shubina, T. Pashkova, E. Valcheva, B. Monemar. J. Appl. Phys., 88, 6252 (2000)
  9. А.С. Усиков, В.В. Третьяков, А.В. Бобыль, Р.Н. Кютт, В.В. Лундин, Б.В. Пушный, Н.М. Шмидт. ФТП, 34, 1300 (2000)
  10. A.V. Naumov, A.E. Belyaev, A.V. Komarov. Proc. 5th Int. Conf. Problems of Optics and High Tech. Material Science --- SPO2004 (Kiev, Ukraine, 2004) p. 182
  11. B. Monemar. Mater. Sci. Eng., B59, 122 (1999)
  12. С.Y. Fang, C.F. Lin, E.Y. Chang, M.S. Feng. Appl. Phys. Lett., 80, 742 (2002)
  13. V.V. Ursaki, I.M. Tiginyanu, V.V. Zalamai, S.M. Hubbard, D. Pavlidis. J. Appl. Phys., 94, 4813 (2003)
  14. P.P. Paskov, R. Schifano, B. Monemar, T. Paskova, S. Figge, D. Hommel. J. Appl. Phys., 98, 093 519 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.