"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование электронных свойств поверхности полупроводников методом модуляционной спектроскопии электроотражения
Генцарь П.А.1, Власенко А.И.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

Сделан анализ связи осцилляций Келдыша--Франца с электронными параметрами полупроводниковых материалов при сильнополевом режиме измерений. Возможности использования модуляционной спектроскопии электроотражения для исследования электронных свойств поверхности полупроводников продемонстрированы на примере спектров электроотражения гомоэпитаксиальных пленок n-GaAs(100) с концентрацией 1017-1018 см-3. Спектры измерены методом барьера Шоттки при комнатной температуре, в неполяризованном свете, в спектральном диапазоне 1.3-1.65 эВ в области перехода E0 (Gamma8V-Gamma6C). Из количественного анализа спектров электроотражения получены электронные параметры пленок: энергия электронного перехода E0, электрооптическая энергия htheta, поверхностное электрическое поле Fs, энергетическое время релаксации носителей заряда tau, протяженность осцилляции волновой функции квантово-механической частицы lambdaKF с приведенной эффективной массой mu при данном поверхностном электрическом поле Fs, величина электронной подвижности mue. PACS: 78.20.Bh, 78.20.Jq, 78.40.Fy, 78.68.+m
  1. А.О. Волков, О.А. Рябушкин. Приборы и техника эксперимента, N 5, 121 (2001)
  2. А.А. Герасимович, С.В. Жоховцев, Г. Гобш, Д.С. Доманевский. ФТП, 39 (6), 729 (2005)
  3. В.А. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980)
  4. А.М. Евстигнеев, О.В. Снитко, Л.В. Артамонов, П.А. Генцар, А.Н. Красико. УФЖ, 31 (5), (1986)
  5. А.М. Евстигнеев, О.В. Синтко, А.Н. Красико, П.А. Генцар, Е.В. Моздор. УФЖ, 32 (2), 269 (1987)
  6. Ю. Питер, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
  7. М. Кардона. Модуляционная спектроскопия (М., Мир, 1972)
  8. Ю.В. Воробьев, В.Н. Добровольский, В.И. Стриха. Методы исследования полупроводников (Киев, Вища шк., 1988)
  9. Г.П. Пека, В.И. Стриха. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках (Киев, Лыбидь, 1992)
  10. D.E. Aspnes. Phys. Rev. B, 10 (10), 4228 (1974)
  11. О.И. Гужва, П.А. Генцар, А.М. Евстигнеев, А.Н. Красико, Н.Д. Марчук, Т.Н. Николаева, О.В. Снитко, В.П. Черкашин. ФТП, 21 (8), 1408 (1987)
  12. D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
  13. М.Б. Гусева, Е.М. Дубинина. Физические основы твердотельной электроники (М., Изд-во МГУ, 1986)
  14. Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
  15. О.Ю. Борковская, С.А. Груша, Н.Л. Дмитрук, А.М. Евстигнеев, Н.А. Клебанова, Р.В. Конакова, А.Н. Красико, К.А. Исмаилов, И.К. Синищук, М.Е. Лисогорский. ЖТФ, 55 (10), 1977 (1985)
  16. А.М. Евстигнеев, П.А. Генцар, С.А. Груша, Р.В. Конакова, А.Н. Красико, О.В. Снитко, Ю.А. Тхорик. ФТП, 21 (6), 1138 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.