Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование диффузии алюминия в кремнии в инертной и окислительной средах
Александров О.В.1, Криворучко А.А.1, Соболев Н.А.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
Показано, что накопление примеси Al вблизи поверхности кремния, наблюдающееся при диффузии из поверхностного источника в инертной среде, не может быть объяснено в рамках обычного для примесей замещения непрямого вакансионно-межузельного (vacancy-interstitialcy) механизма. Особенности диффузии Al как в инертной, так и в окислительной среде удовлетворительно описываются в рамках механизма вытеснения (kick-out), характерного для примесей быстро диффундирующих металлов в кремнии. PACS: 68.35.Fx, 68.35.Dv
- W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. In: Diffusion in crystalline solids, ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick (Academic Press, 1984) p. 63
- P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
- Б.Н. Грессеров, Н.А. Соболев, Ю.В. Выжигин, В.В. Елисеев, В.М. Ликунова. ФТП, 25, 807 (1991)
- S. Muzio, H. Higuchi. Jap. Appl. Phys., 21, 56 (1982)
- Ch. Ortiz, D. Mathiot, Ch. Dubois, R. Jerisian. J. Appl. Phys., 87, 2661 (2000)
- O. Krause, H. Ryssel, P. Pichler. J. Appl. Phys., 91, 5645 (2002)
- Н.А. Соболев, В.Е. Челноков, Е.И. Шек. Электротехн. пром. Сер. Преобр. техн., вып. 9 (176), 15 (1984)
- И.В. Грехов, Л.Н. Крылов, И.А. Линийчук и др. Современные диффузионные методы получения кремниевых элементов силовых неуправляемых и управляемых вентелей (М., 1966)
- W.R. Wilcok, T.J. La Chapelle. J. Appl. Phys., 35, 240 (1964)
- M. Yoshida, K. Saito. Japan. J. Appl. Phys., 6, 573 (1967)
- U. Gosele, F.F. Morehead, W. Frank, A. Seeger. Appl. Phys. Lett., 38, 157 (1981)
- H. Bracht, N.A. Stolwijk, K.H. Metrer. Phys. Rev. B, 52, 16 542 (1995)
- F.C. Frank, D. Turnbol. Phys. Rev., 104, 617 (1956)
- U. Gosele, W. Frank, A. Seeger. Appl. Phys., 23, 361 (1980)
- T.Y. Tan, U. Gosele. J. Appl. Phys., 53, 4667 (1982)
- U. Gosele, T.Y. Tan. Impurity Diffusion and Gettering in Silicon, ed. by R.B. Fair, C.W. Rearce, J. Washburn (Materials Research Soc., Pittsburg, 1985) p. 105
- G.B. Bronner, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 61, 5286 (1987)
- W. Taylor, B.P.R. Marioton, T.Y. Tan, U. Gosele. Rad. Eff. Def. Sol., 111-112, 131 (1989)
- H.-J. Gossman, C.S. Raferty, H.S. Luftman, F.C. Unterwald, T. Boone, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 63, 639 (1993)
- S.M. Hu. J. Appl. Phys., 57, 1069 (1985)
- R.C. Miller, A. Savage. J. Appl. Phys., 27, 1430 (1956)
- G.D. Watkins. IEEE Trans., NS-16, 13 (1969)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
- N.E.B. Cowern. J. Appl. Phys., 64, 4484 (1988)
- N.E.B. Cowern, K.T.F. Janssen, G.F.A. van der Walle, D.J. Gravesteijn. Phys. Rev. Lett., 65, 2434 (1990)
- N.E.B. Cowern, G.F.A. van der Walle, D.J. Gravesteijn, C.J. Vriezema. Phys. Rev. Lett., 67, 212 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
