Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 4 » Статья стр. 385
>>>
Моделирование диффузии алюминия в кремнии в инертной и окислительной средах
Александров О.В.1, Криворучко А.А.1, Соболев Н.А.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
PDF версия
Показано, что накопление примеси Al вблизи поверхности кремния, наблюдающееся при диффузии из поверхностного источника в инертной среде, не может быть объяснено в рамках обычного для примесей замещения непрямого вакансионно-межузельного (vacancy-interstitialcy) механизма. Особенности диффузии Al как в инертной, так и в окислительной среде удовлетворительно описываются в рамках механизма вытеснения (kick-out), характерного для примесей быстро диффундирующих металлов в кремнии. PACS: 68.35.Fx, 68.35.Dv
  1. W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. In: Diffusion in crystalline solids, ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick (Academic Press, 1984) p. 63
  2. P.M. Fahey, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Rev. Mod. Phys., 61, 289 (1989)
  3. Б.Н. Грессеров, Н.А. Соболев, Ю.В. Выжигин, В.В. Елисеев, В.М. Ликунова. ФТП, 25, 807 (1991)
  4. S. Muzio, H. Higuchi. Jap. Appl. Phys., 21, 56 (1982)
  5. Ch. Ortiz, D. Mathiot, Ch. Dubois, R. Jerisian. J. Appl. Phys., 87, 2661 (2000)
  6. O. Krause, H. Ryssel, P. Pichler. J. Appl. Phys., 91, 5645 (2002)
  7. Н.А. Соболев, В.Е. Челноков, Е.И. Шек. Электротехн. пром. Сер. Преобр. техн., вып. 9 (176), 15 (1984)
  8. И.В. Грехов, Л.Н. Крылов, И.А. Линийчук и др. Современные диффузионные методы получения кремниевых элементов силовых неуправляемых и управляемых вентелей (М., 1966)
  9. W.R. Wilcok, T.J. La Chapelle. J. Appl. Phys., 35, 240 (1964)
  10. M. Yoshida, K. Saito. Japan. J. Appl. Phys., 6, 573 (1967)
  11. U. Gosele, F.F. Morehead, W. Frank, A. Seeger. Appl. Phys. Lett., 38, 157 (1981)
  12. H. Bracht, N.A. Stolwijk, K.H. Metrer. Phys. Rev. B, 52, 16 542 (1995)
  13. F.C. Frank, D. Turnbol. Phys. Rev., 104, 617 (1956)
  14. U. Gosele, W. Frank, A. Seeger. Appl. Phys., 23, 361 (1980)
  15. T.Y. Tan, U. Gosele. J. Appl. Phys., 53, 4667 (1982)
  16. U. Gosele, T.Y. Tan. Impurity Diffusion and Gettering in Silicon, ed. by R.B. Fair, C.W. Rearce, J. Washburn (Materials Research Soc., Pittsburg, 1985) p. 105
  17. G.B. Bronner, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 61, 5286 (1987)
  18. W. Taylor, B.P.R. Marioton, T.Y. Tan, U. Gosele. Rad. Eff. Def. Sol., 111-112, 131 (1989)
  19. H.-J. Gossman, C.S. Raferty, H.S. Luftman, F.C. Unterwald, T. Boone, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 63, 639 (1993)
  20. S.M. Hu. J. Appl. Phys., 57, 1069 (1985)
  21. R.C. Miller, A. Savage. J. Appl. Phys., 27, 1430 (1956)
  22. G.D. Watkins. IEEE Trans., NS-16, 13 (1969)
  23. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  24. N.E.B. Cowern. J. Appl. Phys., 64, 4484 (1988)
  25. N.E.B. Cowern, K.T.F. Janssen, G.F.A. van der Walle, D.J. Gravesteijn. Phys. Rev. Lett., 65, 2434 (1990)
  26. N.E.B. Cowern, G.F.A. van der Walle, D.J. Gravesteijn, C.J. Vriezema. Phys. Rev. Lett., 67, 212 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme