"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровков SiGe и их формы
Яремко А.М.1, Валах М.Я.1, Джаган В.Н.1, Литвин П.М.1, Юхимчук В.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

Проведен численный расчет влияния компонентного состава, размеров и температурного коэффициента расширения самоиндуцированных наноостровков Ge и SiGe, сформированных на кремнии, на величину их полной энергии. Рассмотрена взаимосвязь дискретных минимумов поверхностной энергии наноостровков и их формы. Учтено влияние интердиффузионных процессов, существенных при высоких температурах эпитаксии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с помощью атомной силовой микроскопии. PACS: 61.46.+w, 68.35.-p, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.60.Av
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
  2. R. Szweda. III-Vs Review, 16, 36 (2003)
  3. F. Montalenti, P. Raiteri, D.B. Migas, H. von Kanel, A. Rastelli, C. Manzano, G. Costantini, U. Denker, O.G. Schmidt, K. Kern, Leo Miglio. Phys. Rew. Lett., 93, 216 102 (2004)
  4. J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rew. Lett., 70, 2782 (1993)
  5. J. Tersoff, F.K. LeGoues. Phys. Rew. Lett., 72, 3570 (1994)
  6. Z.F. Krasil'nik, P.M. Lytvyn, D.N. Lobanov, N. Mestres, A.V. Movikov, J. Pascual, M.Ya. Valakh, V.A. Yukhymchuk. Nanotechnology, 13, 81 (2002)
  7. М.Я. Валах, Р.Ю. Голиней, В.Н. Джаган, З.Ф. Красильник, О.С. Литвин, Д.Н. Лобанов, А.Г. Милехин, А.И. Никифоров, А.В. Новиков, О.П. Пчеляков, В.А. Юхимчук. ФТТ, 47 (1), 54 (2005)
  8. S.A. Chaparro, Y. Zhang. J. Drucker, D. Chandrasekhar, D.J. Smith. J. Appl. Phys., 87, 2245 (2000)
  9. O.E. Shklyaev, M.J. Beck, M. Asta, M.J. Miksis, P.W. Voorhees. Submitted to Phys. Rev. Lett
  10. U. Denker, H. Sigg, O.G. Schmidt. Appl. Surf. Sci., 224, 127 (2004)
  11. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Теория упругости (М., Наука, 1965) т. VII, гл. I, с. 28
  12. D.D. Cannon, J. Liu, Y. Ishikawa, K. Wada, D.T. Danielson, S. Jongthammanurak, J. Michel, L.C. Kimmerling. Appl. Phys. Lett., 84, 906 (2004)
  13. A.M. Yaremko, V.O. Yukhymchuk, M. Ya. Valakh, J. Pascual, A.V. Novikov, E.V. Mozdor, N. Mestres, P.M. Lytvyn, Z.F. Krasilnik, V.P. Klad'ko, V.M. Dzhagan. Mater. Sci. Eng. C, 23, 1027 (2003)
  14. V.A. Shchukin, D. Biemberg. Rev. Mod. Phys., 71 (4), 1125 (1999)
  15. Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1982) гл. 3, с. 258
  16. A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov. Thin Sol. Films, 380, 158 (2000)
  17. A. Laracuente, S.C. Erwin, L.J. Whitman. Phys. Rev. Lett., 81, 5177 (1998)
  18. A.A. Stekolnikov, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 65, 115 318 (2002)
  19. Z.F. Krasil'nik, I.V. Dolgov, Yu.N. Drozdov, D.O. Filatov, S.A. Gusev, D.N. Lobanov, L.D. Moldavskaya, A.V. Novikov, V.V. Postnikov, N.V. Vostokov. Thin Sol. Films, 367, 171 (2000)
  20. M. Tomitori, K. Watanabe, M. Kobayashi, F. Iwawaki, O. Nishikawa. Surf. Sci., 301, 214 (1994)
  21. P. Sutter, P. Zahl, E. Sutter. Appl. Phys. Lett., 82 (20), 3454 (2003)
  22. Jian-Hong Zhu, C. Miesner, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 75 (16), 2395 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.