Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровков SiGe и их формы
Яремко А.М.1, Валах М.Я.1, Джаган В.Н.1, Литвин П.М.1, Юхимчук В.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
Проведен численный расчет влияния компонентного состава, размеров и температурного коэффициента расширения самоиндуцированных наноостровков Ge и SiGe, сформированных на кремнии, на величину их полной энергии. Рассмотрена взаимосвязь дискретных минимумов поверхностной энергии наноостровков и их формы. Учтено влияние интердиффузионных процессов, существенных при высоких температурах эпитаксии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с помощью атомной силовой микроскопии. PACS: 61.46.+w, 68.35.-p, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.60.Av
- Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
- R. Szweda. III-Vs Review, 16, 36 (2003)
- F. Montalenti, P. Raiteri, D.B. Migas, H. von Kanel, A. Rastelli, C. Manzano, G. Costantini, U. Denker, O.G. Schmidt, K. Kern, Leo Miglio. Phys. Rew. Lett., 93, 216 102 (2004)
- J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rew. Lett., 70, 2782 (1993)
- J. Tersoff, F.K. LeGoues. Phys. Rew. Lett., 72, 3570 (1994)
- Z.F. Krasil'nik, P.M. Lytvyn, D.N. Lobanov, N. Mestres, A.V. Movikov, J. Pascual, M.Ya. Valakh, V.A. Yukhymchuk. Nanotechnology, 13, 81 (2002)
- М.Я. Валах, Р.Ю. Голиней, В.Н. Джаган, З.Ф. Красильник, О.С. Литвин, Д.Н. Лобанов, А.Г. Милехин, А.И. Никифоров, А.В. Новиков, О.П. Пчеляков, В.А. Юхимчук. ФТТ, 47 (1), 54 (2005)
- S.A. Chaparro, Y. Zhang. J. Drucker, D. Chandrasekhar, D.J. Smith. J. Appl. Phys., 87, 2245 (2000)
- O.E. Shklyaev, M.J. Beck, M. Asta, M.J. Miksis, P.W. Voorhees. Submitted to Phys. Rev. Lett
- U. Denker, H. Sigg, O.G. Schmidt. Appl. Surf. Sci., 224, 127 (2004)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Теория упругости (М., Наука, 1965) т. VII, гл. I, с. 28
- D.D. Cannon, J. Liu, Y. Ishikawa, K. Wada, D.T. Danielson, S. Jongthammanurak, J. Michel, L.C. Kimmerling. Appl. Phys. Lett., 84, 906 (2004)
- A.M. Yaremko, V.O. Yukhymchuk, M. Ya. Valakh, J. Pascual, A.V. Novikov, E.V. Mozdor, N. Mestres, P.M. Lytvyn, Z.F. Krasilnik, V.P. Klad'ko, V.M. Dzhagan. Mater. Sci. Eng. C, 23, 1027 (2003)
- V.A. Shchukin, D. Biemberg. Rev. Mod. Phys., 71 (4), 1125 (1999)
- Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1982) гл. 3, с. 258
- A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov. Thin Sol. Films, 380, 158 (2000)
- A. Laracuente, S.C. Erwin, L.J. Whitman. Phys. Rev. Lett., 81, 5177 (1998)
- A.A. Stekolnikov, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 65, 115 318 (2002)
- Z.F. Krasil'nik, I.V. Dolgov, Yu.N. Drozdov, D.O. Filatov, S.A. Gusev, D.N. Lobanov, L.D. Moldavskaya, A.V. Novikov, V.V. Postnikov, N.V. Vostokov. Thin Sol. Films, 367, 171 (2000)
- M. Tomitori, K. Watanabe, M. Kobayashi, F. Iwawaki, O. Nishikawa. Surf. Sci., 301, 214 (1994)
- P. Sutter, P. Zahl, E. Sutter. Appl. Phys. Lett., 82 (20), 3454 (2003)
- Jian-Hong Zhu, C. Miesner, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 75 (16), 2395 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.