Вышедшие номера
Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровков SiGe и их формы
Яремко А.М.1, Валах М.Я.1, Джаган В.Н.1, Литвин П.М.1, Юхимчук В.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

Проведен численный расчет влияния компонентного состава, размеров и температурного коэффициента расширения самоиндуцированных наноостровков Ge и SiGe, сформированных на кремнии, на величину их полной энергии. Рассмотрена взаимосвязь дискретных минимумов поверхностной энергии наноостровков и их формы. Учтено влияние интердиффузионных процессов, существенных при высоких температурах эпитаксии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с помощью атомной силовой микроскопии. PACS: 61.46.+w, 68.35.-p, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.60.Av