Особенности спектров нелинейного поглощения света в нестехиометрических и легированных Ni монокристаллах GaSe
Байдуллаева А.1, Власенко З.К.1, Даулетмуратов Б.К.1, Кузан Л.Ф.1, Мозоль П.Е.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
Измерены спектры нелинейного поглощения света методом двух источников излучения в монокристаллах GaSe, GaSe : Ni, Ga1.05Se0.95 и Ga0.95Se1.05. Обнаружены уровни с глубиной залегания 1.38, 1.45, 1.55, 1.65 и 1.80 эВ. В спектрах нелинейного поглощения света наблюдаются поглощение на неравновесных носителях тока, индуцированное поглощение и индуцированное просветление, обусловленное изменением заселенности примесных центров излучением лазера. PACS: 78.66.Li, 78.40.Fy
- З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1, 62 (2003)
- З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук. Тез. докл. 3-й Межд. научно-практической конф. "Современные информационные и электронные технологии" (Одесса, 2002) с. 255
- З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук. Вестник Львовского университета. Серия физическая (2001), вып. 34, с. 217
- З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук. Научный вестник Черновицкого университета. Физика. Электроника (2000) вып. 92, с. 65
- В.Ф. Антюшин, А.В. Буданов, Е.А. Татохин, Я.А. Болдырева. Письма ЖТФ, 28 (7), 68 (2002)
- А. Байдуллаева, П.Е. Мозоль, И.И. Пацкун и др. А. с. N 990026 (1982), заявка N 3282215 (1981)
- В.В. Борщ, М.П. Лисица, П.Е. Мозоль и др. УФЖ, 22 (11), 1914 (1977)
- П.Е. Мозоль, И.И. Пацкун, Е.А. Сальков, Н.С. Корец, И.В. Факешгази. ФТП, 14 (5), 902 (1980)
- А. Байдуллаева, З.К. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, Л.Ф. Кузан, П.Е. Мозоль. ФТП, 39 (4), 405 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
