Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
7
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
6
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
6
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Болтовец Н.С.
Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
5
Иванов В.Н.
Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
5
Кудрик Я.Я.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ромака В.А.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я.С. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
4
Стаднык Ю.В.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Закгейм А.Л.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Черняков А.Е.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Ушакова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Болотов В.В.
Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
3
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Рыскин А.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Емельченко Г.А.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3
Торхов Н.А.
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3
Новиков В.А.
Томский государственный универстет, Томск, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Fruchart D.
Лаборатория Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
3
Ромака Л.П.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
3
Горынь А.М.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
3
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бордовский Г.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Анисимова Н.И.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Марченко А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Падалица А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Симаков В.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Трегубова А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Брудный В.Н.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Калыгина В.М.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Андреев В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Агаев З.Ф.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Капитанчук Л.М.
Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Давиденко Н.А.
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, МСП Киев, Украина
3
Ищенко А.А.
Институт органической химии НАН Украины, Киев, Украина
3
Скрышевский В.А.
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, МСП Киев, Украина
3
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государcтвенный политехничеcкий университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Пожела Ю.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
3
Пожела К.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
3
Юцене В.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
3
Михрин С.С.
Иннолюм, Дортмунд, Германия
3
Михрин В.С.
Иннолюм, Дортмунд, Германия
3
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технологический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мармалюк А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Глотов А.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гимбицкая О.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щеулин А.С.
Государственное образовательное учреждение профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики", Санкт-Петербург, Россия
2
Андронов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Додин Е.П.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Зинченко Д.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Ноздрин Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Гореленко Ю.К.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Клюев В.Г.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Ивонин И.В.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Кузнецов Г.Ф.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андреев А.Ю.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Сабитов Д.Р.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Мокеров В.Г.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Божков В.Г.
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2
Паюсов А.С.
Академический физико-технологический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, PW 5-2, Hardenbergstr, 36, Berlin, Germany
Present address: VI Systems GmbH, Hardenbergstr. 7, Berlin, Germany
2
Абрамов П.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кумеков С.Е.
Казахский национальный технический университет им. К.И. Сатпаева, Алматы, Казахстан
2
Рембеза С.И.
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет", Воронеж, Россия
2
Сизов В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при ФТИ им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Вольфсон А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнов М.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Овчинников О.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Литвин О.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Степихова М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Набиев Г.А.
Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
2
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козырев С.П.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Стенькин Ю.А.
Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
2
Кан В.Е.
Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
2
Пономарева И.В.
Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
2
Цыранов С.Н.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Синицын М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Тошходжаев Х.А.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2
Масалов В.М.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сердобинцев А.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Саидов А.С.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Hlil E.K.
Институт Нэеля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
2
Доминюк Т.И.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Rogl P.
Институт физической химии университета г. Вена, А- Вена, Австрия
2
Велиев Р.Г.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Садыхов Р.З.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Керимова Э.М.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Асадов Ю.Г.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Джаббаров А.И.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Константинов П.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шабалдин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гулямов А.Г.
Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Горбатюк А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Серков Ф.Б.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Верховцева А.В.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Гергель В.А.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сухарев А.В.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Бут А.В.
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2
Мигаль В.П.
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2
Фомин А.С.
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Гордиенко Н.Н.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стафеев В.И.
Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-производственное объединение "Орион", Москва, Россия
2
Заботнов С.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Кашкаров П.К.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Ткач Н.В.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Сети Ю.А.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Семенов А.В.
Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2
Пузиков В.М.
Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козюхин С.А.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бондарев А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Нифтиев Н.Н.
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
2
Тагиев О.Б.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Ахмедова Г.А.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Багиева Г.З.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Абдинов Д.Ш.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Васильев Р.Б.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
2
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кудрявцев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козинец А.В.
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, МСП Киев, Украина
2
Мокринская Е.В.
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, МСП Киев, Украина
2
Третяк О.В.
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, МСП Киев, Украина
2
Кривобок В.С.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Исмаилов Д.И.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Зубрилов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Павлюченко А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сужеделис А.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Школьник А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Иннолюм, Дортмунд, Германия
2
Савельев А.В.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технологический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технологический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Добротворская М.В.
Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук