"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10210
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
244

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2009 год:
Статья
Просмотров
Работа полупроводникового прерывателя при микросекундном времени накачки и низкой плотности тока
65
Край собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон
34
Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе
32
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до 100 ГГц
31
Люминесценция квантовых точек CdSe/ZnS, инфильтрованных в опаловую матрицу
30
Возбуждение поверхностных электромагнитных волн в полупроводниках при фемтосекундном лазерном воздействии
30
Люминесценция квантово-размерных нанокристаллов и наностержней селенида кадмия во внешнем электрическом поле
28
Антистоксова люминесценция микрокристаллов твердых растворов Zn0.75Cd0.25S, подвергнутых отжигу в присутствии кислорода
26
Получение текстурированных пленок нитрида алюминия методом термохимической нитридизации сапфира
24
Коэффициент неидеальности вольт-амперных характеристик p-n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле
24
Эффект ориентации поверхности кремния в модели объемного термического окисления
23
Поглощение, спектры возбуждения люминесценции и инфракрасного пропускания кристаллов ZnS(O)-ZnSe(O) в модели непересекающихся зон
22
Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах
22
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
21
Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP
21
Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния
20
Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов
20
Мощные диодные лазеры (lambda=1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP
20
Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления
19
Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения
19
Статья
Просмотров
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до 100 ГГц
5464
Коэффициент неидеальности вольт-амперных характеристик p-n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле
4452
Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе
3909
Край собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон
3868
Работа полупроводникового прерывателя при микросекундном времени накачки и низкой плотности тока
3826
Возбуждение поверхностных электромагнитных волн в полупроводниках при фемтосекундном лазерном воздействии
3466
Получение текстурированных пленок нитрида алюминия методом термохимической нитридизации сапфира
3203
Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием
3043
Поглощение, спектры возбуждения люминесценции и инфракрасного пропускания кристаллов ZnS(O)-ZnSe(O) в модели непересекающихся зон
3033
Люминесценция квантово-размерных нанокристаллов и наностержней селенида кадмия во внешнем электрическом поле
2973
Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) на основе твердых растворов вычитания
2920
Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния
2807
Люминесценция квантовых точек CdSe/ZnS, инфильтрованных в опаловую матрицу
2711
Влияние кристаллографической ориентации кремния на формирование кремниевых нанокластеров в процессе анодного электрохимического травления
2690
Гибкие солнечные модули на основе сульфида и теллурида кадмия
2644
Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs
2541
Эффект ориентации поверхности кремния в модели объемного термического окисления
2487
Полупроводниковые лазеры спектрального диапазона 1.3 мкм на квантовых точках с высокой температурной стабильностью длины волны лазерной генерации (0.2 нм/К)
2288
Дисковые WGM-лазеры (lambda=3.0 мкм) на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрерывном режиме
2287
Светодиоды "теплого" белого свечения на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами из иттрий-гадолиниевых гранатов
2279
Низкотемпературное получение пленок карбида кремния различных политипов
2260
Антистоксова люминесценция микрокристаллов твердых растворов Zn0.75Cd0.25S, подвергнутых отжигу в присутствии кислорода
2227
Генерация излучения разностной частоты в двухчиповом лазере
2192
Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов
2180
Спиновый эффект Холла в полупроводниковых структурах с пространственно неоднородной спиновой релаксацией
2177
Мощные диодные лазеры (lambda=1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения InGaAsP/InP
2090
Прыжковая проводимость в поликристаллических фотопроводящих слоях Pb3O4
2043
Резонансное усиление эмиссии поляризованных электронов
2041
Электронный парамагнитный резонанс и фотолюминесценция в пиролитических пленках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом
2010
Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP
2010
Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур
1997
Исследование оптических свойств аморфного углерода, модифицированного платиной
1987
О селекции мод в поперечных волноводах полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур
1986
Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения
1978
Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (0001) при использовании различных способов активации азота
1975
Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K
1971
Структура и свойства контактов CdxHg1-xTe-металл
1965
Послойный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда
1948
Высокочастотная проводимость тонкой полупроводниковой цилиндрической проволоки при произвольной температуре
1946
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP
1917
Спектр пропускания света диэлектрическими наночастицами в объемных гетерокомпозитах
1894
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
1893
Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC
1859
Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
1845
Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах
1825
Влияние присоединения биомолекул на фотолюминесцентные и структурные характеристики квантовых точек CdSe-ZnS
1793
High-performance InGaP/GaAs pnp delta-doped heterojunction bipolar transistor
1786
Термоэлектрические и другие явления в структурах с неравновесными носителями заряда и наночастицами
1743
Динамика многомодового полупроводникового лазера с оптической обратной связью
1728
Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb
1726
Автор
Организация
Статей
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
6
Ромака В.А.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
6
Цацульников А.Ф.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
6
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Болтовец Н.С.
Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
5
Иванов В.Н.
Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
5
Кудрик Я.Я.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Стаднык Ю.В.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дубровский В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Сизов В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Сердобинцев А.А.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники Российской академии наук, Саратов, Россия
3
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Середин П.В.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
94
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
16
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
13
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
13
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
12
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
12
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
7
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
7
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
7
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
6
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
5
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
5
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
3
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
3
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
3
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
3
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
3
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
ФГУП НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия
3
Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
3
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
3
Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2
Государственное образовательное учреждение профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики", Санкт-Петербург, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Лаборатория Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
2
Казахский национальный технический университет им. К.И. Сатпаева, Алматы, Казахстан
2
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme