"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Полупроводниковые лазеры спектрального диапазона 1.3 мкм на квантовых точках с высокой температурной стабильностью длины волны лазерной генерации (0.2 нм/К)
Карачинский Л.Я.1,2,3, Новиков И.И.1, Шерняков Ю.М.1,3, Гордеев Н.Ю.1,3, Паюсов А.С.4, Максимов М.В.1,3,4, Михрин С.С.5, Лифшиц М.Б.1,2, Щукин В.А.1,2,6, Копьев П.С.1, Леденцов Н.Н.1,2,6, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, PW 5-2, Hardenbergstr, 36, Berlin, Germany
3Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Академический физико-технологический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Innolume GmbH, Konrad-Adenauer-Allee 11, Dortmund, Germany
6Present address: VI Systems GmbH, Hardenbergstr. 7, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 1 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Созданы и исследованы лазеры спектрального диапазона 1.3 мкм на структурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs, с активной областью на основе квантовых точек InAs. В схеме резонатора использован многослойный интерференционный отражатель, приводящий к тому, что высокий фактор оптического ограничения и низкие потери на утекание реализуются только для света, распространяющегося под определенным углом и, следовательно, имеющего строго определенную длину волны. Показано, что за счет использования такой конструкции волновода температурный сдвиг длины волны лазерной генерации составляет 0.2 нм/K, что в 2.5 раза меньше, чем в лазерах на квантовых точках со стандартной конструкцией волновода. Лазеры с шириной полоскового контакта W=10 мкм показали пространственно-одномодовое излучение, что подтверждает преимущества предложенной оригинальной конструкции оптического волновода. PACS: 42.55.Px
  1. S.V. Kartalopoulos. Introduction to DWDM Technology. Data in a Rainbow (Wiley-Interscience, N.Y., 2000)
  2. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. A
  3. H. Kogelnik, C.V. Shank. Appl. Phys. Lett., 18, 152 (1971); Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 6, 1184 (1973)
  4. G.P. Agrawal. Semiconductor lasers: past. present and future (American Institute of Physics, Woodbury, N.Y., 1994)
  5. R. Debusmann, T.W. Schlereth, S. Gerhard, W. Kaiser, S. Hofling, A. Forchel. IEEE J. Quant. Electron., 44, 175 (2008)
  6. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin. Opt. Eng., 41, 3193 (2002)
  7. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, S.S. Mikhrin, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, A.R. Kovsh, L.Ya. Karachinsky, M.V. Maximov, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov. Semicond. Sci. Technol., 19, 1183 (2004)
  8. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maxomov, M.B. Lifshits, A.V. Savelyev, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, S.S. Mikhrin, D. Bimberg, Semicond. Sci. Technol., 22, 1061 (2007)
  9. L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, G. Fiol, M. Kuntz, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, M.B. Lifshits, T. Kettler, K. Posilovic, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, S.S. Mikhrin, D. Bimberg. Proc. 16th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (Vladivostok, 2008) paper LOED.06o, p. 28
  10. L.Ya. Karachinsky, M. Kuntz, G. Fiol, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov. Appl. Phys. Lett., 91, 241 112 (2007)
  11. H. Wenzel, J. Fricke, A. Klehr, A. Knauer, G. Erbert. IEEE Phot. Techn. Lett., 18, 737 (2006)
  12. M.B. Lifshits, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 22, 380 (2007)
  13. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1393 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.