Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Автокоррекция характеристик полевых транзисторов в режиме спонтанной объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия 
Поступила в редакцию: 23 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.
В кремниевом полевом транзисторе с инверсионным n-каналом осуществлена спонтанная объемно-зарядовая ионная поляризация подзатворного окисла в режиме джоулева разогрева прибора током стока Id. Характеристики транзистора, измеренные при комнатной температуре (Tr) до и после термополевой обработки, показывают, что локализация положительных ионов (Na+) у границы раздела SiO2/Si сопровождается увеличением эффективной подвижности электронов (в ~2.3 раза), крутизны, Id и небольшим уменьшением порогового напряжения (Delta Vth=0.58 В). При T=Tr модифицированные характеристики транзистора сохраняются в течение месяцев; их легко прогнозируемо варьировать изменением Id и продолжительностью нагрева. PACS: 85.30.Tv, 73.40.Qv, 73.61.Ng, 85.40.Ry
- Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 41, 368 (2007)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 34, 677 (2000)
- Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, В.Г. Приходько. Препринт ИРЭ РАН N 46 [418] (М., 1990)
- Е.И. Гольдман, В.А. Иванов. Препринт ИРЭ РАН N 22 [551] (М., 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
