"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Автокоррекция характеристик полевых транзисторов в режиме спонтанной объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла
Ждан А.Г.1, Нарышкина В.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

В кремниевом полевом транзисторе с инверсионным n-каналом осуществлена спонтанная объемно-зарядовая ионная поляризация подзатворного окисла в режиме джоулева разогрева прибора током стока Id. Характеристики транзистора, измеренные при комнатной температуре (Tr) до и после термополевой обработки, показывают, что локализация положительных ионов (Na+) у границы раздела SiO2/Si сопровождается увеличением эффективной подвижности электронов (в ~2.3 раза), крутизны, Id и небольшим уменьшением порогового напряжения (Delta Vth=0.58 В). При T=Tr модифицированные характеристики транзистора сохраняются в течение месяцев; их легко прогнозируемо варьировать изменением Id и продолжительностью нагрева. PACS: 85.30.Tv, 73.40.Qv, 73.61.Ng, 85.40.Ry
  1. Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 41, 368 (2007)
  2. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  3. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 34, 677 (2000)
  4. Ю.В. Гуляев, А.Г. Ждан, В.Г. Приходько. Препринт ИРЭ РАН N 46 [418] (М., 1990)
  5. Е.И. Гольдман, В.А. Иванов. Препринт ИРЭ РАН N 22 [551] (М., 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.