"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дислокационная электрическая проводимость синтетических алмазных пленок
Самсоненко С.Н.1, Самсоненко Н.Д.1
1Донбасская национальная академия строительства и архитектуры, Макеевка, Украина
Поступила в редакцию: 10 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Исследована связь электрического сопротивления монокристаллических гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок с их внутренней структурой. Установлено, что электрическая проводимость нелегированных образцов гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок непосредственно связана с плотностью дислокаций в них. Получено выражение, связывающее удельное сопротивление rho (~ 1013-1015 Ом·см) с плотностью дислокаций Gamma (~ 1014-4· 1016 м-2). Характер этой зависимости для обеих групп гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленок является близким. В тонких (~1-8 мкм) гомоэпитаксиальных и поликристаллических алмазных пленках наблюдается дислокационная проводимость по малоугловым дислокационным границам между блоками мозаики. Энергия активации дислокационных акцепторных центров определена из температурной зависимости электропроводности. Она равна ~0.3 эВ. Электропроводность толстых алмазных пленок (h>10 мкм) с удельным сопротивлением rho~ 108 Ом·см определяется проводимостью межкристаллитных границ, которые имеют неалмазную гидрогенезированную структуру. Проводится сравнение электронных свойств алмазных пленок с электронными свойствами природных полупроводниковых алмазов типа II b и типа I c, у которых энергия активации дислокационных акцепторных центров равна 0.2-0.35 эВ и которые определяют их дырочную проводимость. PACS: 61.72.Dd, 61.72.Hh, 61.72.Lk, 72.80.-r
  1. B.V. Spitsyn, L.L. Bouilov, A.E. Alexenko. Braz. J. Phys., 30 (3), 471 (2000)
  2. A.R. Lang. In: The Properties of Diamond, ed. by J.E. Field (London--N.Y.--San Francisco, Academic Press, 1979) p. 425
  3. Н.Д. Самсоненко, Г.Б. Бокий, Н.А. Шульга, В.И. Тимченко. ДАН СССР, 218, 1336 (1974)
  4. Н.Д. Самсоненко, С.Н. Самсоненко. Вестн. ДонГу. Сер. А, Естественные науки, вып. 1, 78 (2001)
  5. В.Н. Варюхин, Н.Д. Самсоненко, С.Н. Самоненко, И.В. Сельская. Физика и техника высоких давлений, 11 (2), 7 (2001)
  6. В.Н. Варюхин, Н.Д. Самсоненко, С.Н. Самсоненко, И.В. Сельская. Физика и техника высоких давлений, 11 (4), 30 (2001)
  7. Н.Д. Самсоненко, В.И. Тимченко, В.А. Емец, Г.Б. Бокий. Кристаллография, 25, 1300 (1980)
  8. Н.Д. Самсоненко, С.Н. Самсоненко, Г.С. Олейник. Вестн. ДонГу. Сер. А, Естественные науки, вып. 2, 104 (2001)
  9. K.M. McNamara Rutledge, G.D. Wotkins, X. Zhou, K.K. Gleason, In: Diamond Based Composites and Related Materials, ed. by M.A. Prelas, A. Benedictus, L.S. Lin, G. Popovici and P. Gielisse (Dordrecht--Boston--London, Kluwer Academic Publischers, 1997)
  10. N.D. Samsonenko, S.N. Samsonenko, V.N. Varyukhin, Z.I. Kolupaeva. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 5303 (2006)
  11. S.N. Samsonenko, N.D. Samsonenko, Z.I. Kolupaeva. Function Mater., 14 (2), 212 (2007)
  12. V.I. Ivanov-Omskii. In: Diamond Based Composites and Related Materials, ed. by M.A. Prelas, A. Benedictus, L.S. Lin, G. Popovici and P. Gielisse (Dordrecht--Boston--London, Kluwer Academic Publischers, 1997) p. 171
  13. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.