Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства пленок GaN/Al₂O₃, легированных кремнием

Заяц Н.С.¹, Генцарь П.А.¹, Бойко В.Г.¹, Литвин О.С.¹, Вуйчик Н.В.¹, Стронский А.В.¹, Янчук И.Б.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 30 июля 2008 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены морфологические и оптические исследования пленок GaN, легированных кремнием (уровень легирования N_Si=1.5· 10¹⁹ см^-3), выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках из сапфира, ориентированных по кристаллографической оси c. Для выращенных пленок GaN получены следующие физические параметры: энергия электронного перехода E₀, коэффициент поглощения alpha, показатель преломления n, частоты поперечных и продольных оптических колебаний решетки, характерные для кристаллических пленок GaN. PACS: 61.72.Vv, 81.15.Gh, 78.20.Ci, 78.30.Fs

Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.А. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001) с. 128
В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, В.А. Федирко, D.R.T. Zahn. ФТП, 37, 964 (2003)
Г.О. Сукач, В.В. Кидалов, А.С. Ревенко. Подложки для эпитаксиального роста нитридов III группы (Киев, Четвертая волна, 2007) с. 188
П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
T. Li, C. Simbrunner, M. Wegscheider, A. Navarro-Quezada, M. Quast, K. Schmidegg, A. Bonanni. J. Cryst. Growth, 310, 13 (2008)
T. Yoshida, Y. Oshima, T. Eri, K. Ikeda, S. Yamamoto, K. Watanabe, M. Shibata, T. Mishima. J. Cryst. Growth, 310, 5 (2008)
H.J. Park, C. Park, S. Yeo, S.W. Kang, M. Mastro, O. Kryliouk, T.J. Anderson. Phys. Status Solidi C, 2 (7), 2446 (2005)
C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, J.W. Ager III, I. Grzegory, B.K. Meyer. Phys. B, 302--303, 23 (2001)
V.Y. Davydov, Y.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evaretov. Phys. Rev. B, 58, 12 899 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель