"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности механизма дефектообразования в монокристаллах CdS при облучении большими дозами быстрых реакторных нейтронов
Давидюк Г.Е.1, Кевшин А.Г.1, Божко В.В.1, Галян В.В.1
1Волынский национальный университет им. Л. Украинки, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Исследовались электрические и оптические свойства облученных быстрыми реакторными нейтронами дозой >=1018 см-2 монокристаллов CdS. Было установлено, что в облученном материале образуются кластеры дефектов, в которых доминирующими являются вакансии кадмия. При распаде кластеров дефектов в процессе радиационно стимулированного отжига или отжига в температурном интервале ~200-400oC решетка кристалла обогащается вакансиями Cd. Предполагается, что в образовании кластеров дефектов существенную роль играют подпороговые эффекты, связанные с преимущественным возбуждением K-оболочек атомов Cd и их кулоновским выталкиванием с ядра кластера. PACS: 78.40.Fy, 78.55.-m
  1. М.В. Пасечник и др. Спектры гамма-лучей и нейтронов из горизонтального канала реактора ВВР-М И.Ф. УССР (Киев, Изд-во АН УССР, 1961)
  2. Радиационная физика неметаллических кристаллов. Тр. совещения, под ред. И.Д. Конозенко и др. (Киев, Наук. думка, 1967) с. 221
  3. А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.Т. Мак. ФТП, 8, 2219 (1974)
  4. А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк. ФТП, 9, 2272 (1975)
  5. A.P. Galushka, G.E. Davidyuk. J. Phys. D: Appl. Phys. B, 10, 933 (1977)
  6. А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара. ФТП, 12, 2278 (1978)
  7. Г.Е. Давидюк, А.П. Галушка, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, N 7, 37 (1980)
  8. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
  9. И.А. Вайнштейн, А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, Ю.В. Щапова. ФТТ, 42, 224 (2000)
  10. Б. Келли. Радиационное повреждение твердых тел (М., Атомиздат, 1970)
  11. М.Р. Кулиш. Автореф. докт. дис. (Киев, 1994)
  12. Н.Р. Кулиш, М.П. Лисица, Н.И. Малыш, Б.М. Булах. ФТП, 24, 25 (1990)
  13. Точечные дефекты в твердых телах, под ред. Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец и А.Н. Орлова (М., Мир, 1979)
  14. B.A. Kulp. Phys. Rev. B, 125, 1865 (1962)
  15. Ю.Н. Эмиров, С.С. Остапенко, М.А. Ризаханов, М.К. Шейнкман. ФТП, 16, 1371 (1982)
  16. И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, М.К. Шейнкман. ФТП, 9, 1620 (1975)
  17. И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, Г.С. Пекарь, М.К. Шейнкман. Укр. физ. журн., 18, 733 (1973)
  18. Г.Е. Давидюк, Г.Л. Мирончук. Влияние облучения частицами подпороговой энергии на оптические и фотоэлектрические параметры специально не легированных и легированных разными примесями монокристаллов сульфида кадмия (Луцк, Вежа, 2009)
  19. Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, А.А. Федонюк. ФТП, 31, 1013 (1997)
  20. Г.Е. Давидюк, В.В. Божко, М.С. Богданюк, Г.Л. Мирончук, Л.В. Булатецкая, А.Г. Кевшин. Вестн. Волын. нац. ун-та. Физические науки, N 16, 57 (2007)
  21. А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк. ФТП, 8, 1063 (1974)
  22. Физические процессы в облученных кристаллах, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
  23. Н.А. Ухин. ФТП, 6, 931 (1972)
  24. В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
  25. А.Е. Кив, А.А. Малкин, В.А. Янчук. ФТП, 8, 1194 (1974)
  26. M.S. Yunusov, M.A. Zaikovskaya, B.L. Oksengendle et al. Phys. Status Solidi A, B 35, k145 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.