"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Прыжковая проводимость в поликристаллических фотопроводящих слоях Pb3O4
Аванесян В.Т.1, Потачев С.А.1, Баранова Е.П.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

В поликристаллических слоях Pb3O4 изучена проводимость на переменном токе в интервале частот f=102-105 Гц и диапазоне температур 293-370 K в темновом и световом режимах измерения. Обсуждаются особенности процесса переноса заряда. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Мотта показывает, что проводимость отвечает прыжковому механизму и имеет место электроперенос в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми. Для различных значений температуры определены микропараметры, определяющие процесс проводимости, такие как плотность локальных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда. PACS: 72.20.Ee, 71.23.An
  1. В.Т. Аванесян, Е.П. Баранова. Письма ЖТФ, 33 (10), 49 (2007)
  2. Г.А. Бордовский, В.А. Извозчиков. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл (СПб., Образование, 1997)
  3. А.М. Солодуха, З.А. Либерман. ФТТ, 43, 1966 (2001)
  4. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  5. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
  6. В.Т. Аванесян, В.А. Бордовский, Е.П. Баранов, Г.И. Грабко. ФТП, 41 (12), 1425 (2007)
  7. V.T. Avanesyan, V.A. Bordovskii, S.A. Potachev. J. Non-Cryst. Sol., 305, 136 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.