"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура и кинетика кристаллизации тонких аморфных пленок Yb1-xSmxAs4S7
Гаджиев Э.Ш.1, Мададзаде А.И.1, Исмаилов Д.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Получена кривая интенсивности рассеяния электронов в зависимости от угла рассеяния для аморфных пленок Yb1-xSmxAs4S7 (x=0.02 ат%). Построена кривая радиального распределения атомов, определены радиусы координационных сфер и парциальные координационные числа. Установлены кинетические параметры фазовых превращений при кристаллизации аморфных пленок Yb1-xSmxAs4S7 (x=0.02 ат%), полученных как в обычных условиях, так и в условиях воздействия внешнего электрического поля. PACS: 61.43.Dq
  1. Т.М. Ильясов. Автореф. докт. дис. (Баку, 1992)
  2. А.Ф. Скрышевский. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел (М., Высш. шк., 1980)
  3. E.G. Efendiyev, E.Sh. Hajiyev. J. Non-Cryst. Sol., 163, 29 (1993)
  4. Р.Б. Шафизаде. Фазообразование и кинетика фазовых превращений в тонких пленках A-=SUP=-I-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (Баку, ЭЛМ, 1983)
  5. Б.К. Вайнштейн. Структурная электронография (М., АН СССР, 1956)
  6. Э.Ш. Гаджиев, А.И. Мададзаде. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 10, 96 (2007)
  7. Г.И. Дистлер. В кн.: Проблемы современной кристаллографии (М., Наука, 1975) с. 197
  8. H. Bethge, K.W. Keller, E. Zieyler. J. Crys. Growth, 34, 184 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.