Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структура и кинетика кристаллизации тонких аморфных пленок Yb_1-xSm_xAs₄S₇

Гаджиев Э.Ш.¹, Мададзаде А.И.¹, Исмаилов Д.И.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

PDF версия

Получена кривая интенсивности рассеяния электронов в зависимости от угла рассеяния для аморфных пленок Yb_1-xSm_xAs₄S₇ (x=0.02 ат%). Построена кривая радиального распределения атомов, определены радиусы координационных сфер и парциальные координационные числа. Установлены кинетические параметры фазовых превращений при кристаллизации аморфных пленок Yb_1-xSm_xAs₄S₇ (x=0.02 ат%), полученных как в обычных условиях, так и в условиях воздействия внешнего электрического поля. PACS: 61.43.Dq

Т.М. Ильясов. Автореф. докт. дис. (Баку, 1992)
А.Ф. Скрышевский. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел (М., Высш. шк., 1980)
E.G. Efendiyev, E.Sh. Hajiyev. J. Non-Cryst. Sol., 163, 29 (1993)
Р.Б. Шафизаде. Фазообразование и кинетика фазовых превращений в тонких пленках A^IB^VI (Баку, ЭЛМ, 1983)
Б.К. Вайнштейн. Структурная электронография (М., АН СССР, 1956)
Э.Ш. Гаджиев, А.И. Мададзаде. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 10, 96 (2007)
Г.И. Дистлер. В кн.: Проблемы современной кристаллографии (М., Наука, 1975) с. 197
H. Bethge, K.W. Keller, E. Zieyler. J. Crys. Growth, 34, 184 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель