Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структура и кинетика кристаллизации тонких аморфных пленок Yb1-xSmxAs4S7
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
Получена кривая интенсивности рассеяния электронов в зависимости от угла рассеяния для аморфных пленок Yb1-xSmxAs4S7 (x=0.02 ат%). Построена кривая радиального распределения атомов, определены радиусы координационных сфер и парциальные координационные числа. Установлены кинетические параметры фазовых превращений при кристаллизации аморфных пленок Yb1-xSmxAs4S7 (x=0.02 ат%), полученных как в обычных условиях, так и в условиях воздействия внешнего электрического поля. PACS: 61.43.Dq
- Т.М. Ильясов. Автореф. докт. дис. (Баку, 1992)
- А.Ф. Скрышевский. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел (М., Высш. шк., 1980)
- E.G. Efendiyev, E.Sh. Hajiyev. J. Non-Cryst. Sol., 163, 29 (1993)
- Р.Б. Шафизаде. Фазообразование и кинетика фазовых превращений в тонких пленках AIBVI (Баку, ЭЛМ, 1983)
- Б.К. Вайнштейн. Структурная электронография (М., АН СССР, 1956)
- Э.Ш. Гаджиев, А.И. Мададзаде. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 10, 96 (2007)
- Г.И. Дистлер. В кн.: Проблемы современной кристаллографии (М., Наука, 1975) с. 197
- H. Bethge, K.W. Keller, E. Zieyler. J. Crys. Growth, 34, 184 (1968)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
