"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение спектра электронных состояний в поликристаллическом p-CdTe в результате отжига в Cd и естественного старения
Колосов С.А.1, Клевков Ю.В.1, Клоков А.Ю.1, Кривобок В.С.1, Шарков А.И.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Исследованы электрические свойства, стационарная фотопроводимость и кинетика фотопроводимости образцов поликристаллического p-CdTe: исходного, полученного методом низкотемпературного синтеза из глубоко очищенных компонентов; отожженого в парах Cd и состаренного при комнатной температуре. Показано, что электрические свойства исходного p-CdTe определяются сложным дефектом с энергией Ev+0.16 эВ, который трансформируется в уровень Ev+0.25 эВ при отжиге в Cd и старении образцов. Обнаружены также глубокие центры Ev+0.6 эВ и Ev+0.86 эВ, определяющие процессы затухания фототока. PACS: 71.55.Gs, 72.40.+w, 81.40.Rs
  1. H.C. Chou, A. Rohatgi, N.M. Jokerst, E.W. Thomas, S. Kamra. J. Electron. Mater., 25 (7), 1093 (1996)
  2. С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, В.С. Багаев, А.Ф. Плотников. Наука --- производству, 6 (31), 16 (2000)
  3. А.В. Квит, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, В.С. Багаев, А. Пересторонин, А.Ф. Плотников. ФТП, 30 (1), 19 (2000)
  4. Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, В.П. Мартовицкий, С.Н. Николаев. ФТП, 42 (11), 1291 (2008)
  5. E. Molva, J.L. Pautrat, K. Saminadayar, G. Milchberg, N. Magnea. Phys. Rev. B, 30, 3344 (1984)
  6. E. Molva, J.P. Chamonal, G. Milchberg, K. Saminadayar, B. Pajot, G. Neu. Sol. St. Commun., 44, 351 (1982)
  7. B. Biglari, M. Samimi, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth., A283, 249 (1989)
  8. M. Samimi, B. Biglari, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth., A283, 243 (1989)
  9. A. Castsldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandez, J. Piqueras. Appl. Phys. Lett., 69, 3510 (1996)
  10. A.V. Kvit, Y.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, A.V. Tsikunov, B.G. Zhurkin. Mater. Sci. Eng., B26, 1 (1994)
  11. A.V. Kvit, Yu.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, B.G. Zhurkin. Semicond. Sci. Technol., 9, 1805 (1994)
  12. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964) с. 140
  13. B. Monemar, E. Molva, Le Si Dang. Phys. Rev. B, 33, 1134 (1986)
  14. A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, L. Polenta, P. Fernandez, J. Piqueras. Phys. Rev. B, 54, 7622 (1996)
  15. G.M. Khattak, C.G. Scott. J. Phys.: Condens. Matter, 3, 8619 (1991)
  16. Е.А. Бобров, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, А.Ф. Плотников. ФТП, 36 (12), 1426 (2002)
  17. Muren Chu, Sevag Terterian, David Ting, C.c. Wang, H.K. Gurgenian, Shoghig Mesropian. Appl. Phys. Lett., 79, 2728 (2001)
  18. W.I. Lee, N.R. Taskar, I.B. Bhat, J.M. Borrego, S.K. Ghandhi. Proc. IEEE, N 785 (1987)
  19. Z.Q. Wang, D. Stroud. Phys. Rev. B, 40, 3129 (1989)
  20. Richard H. Bube. Photoelectronic properties of semiconductors (Cambridge--N. Y., Cambridge University Press, 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.