Вышедшие номера
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1, Потапов А.С.1, Ильинская Н.Д.1, Самсонова Т.П.1, Коньков О.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Изготовлены интегрированные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC, в которых локальные p-n-переходы под контактом Шоттки сформированы с помощью неравновесной диффузии бора. Статические и динамические характеристики изготовленных JBS-диодов сравниваются с характеристиками аналогичных диодов Шоттки на 4H-SiC. Показано, что по сравнению с обычными диодами Шоттки токи утечки в JBS-диодах при одном и том же обратном напряжении уменьшаются в среднем в 200 раз. Заряд обратного восстановления для обоих типов диодов одинаков и равен заряду основных носителей, выносимых из базовой n-области при переключении. PACS: 73.40.Lq, 73.40.Ns, 85.30.De, 85.30.Hi, 85.30.Kk