Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC

Иванов П.А.¹, Грехов И.В.¹, Потапов А.С.¹, Ильинская Н.Д.¹, Самсонова Т.П.¹, Коньков О.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 5 февраля 2009 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изготовлены интегрированные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC, в которых локальные p-n-переходы под контактом Шоттки сформированы с помощью неравновесной диффузии бора. Статические и динамические характеристики изготовленных JBS-диодов сравниваются с характеристиками аналогичных диодов Шоттки на 4H-SiC. Показано, что по сравнению с обычными диодами Шоттки токи утечки в JBS-диодах при одном и том же обратном напряжении уменьшаются в среднем в 200 раз. Заряд обратного восстановления для обоих типов диодов одинаков и равен заряду основных носителей, выносимых из базовой n-области при переключении. PACS: 73.40.Lq, 73.40.Ns, 85.30.De, 85.30.Hi, 85.30.Kk

R. Held, N. Kaminski, E. Niemann. Mater. Sci. Forum, 264-268, 1057 (1998)
F. Dahlquist, C.M. Zetterling, M. Ostling, K. Rottner. Mater. Sci. Forum, 264-268, 1061 (1998)
K. Tone, J.H. Zhao, M. Weiner, M. Pan. Semicond. Sci. Technol., 16, 594 (2001)
R. Perez, N. Mestres, M. Vellvehi, P. Godignon, J. Millan. Semicond. Sci. Technol., 21, 670 (2006)
И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42, 211 (2008)
П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. ФТП, 43, 527 (2009)
А.С. Потапов, П.А. Иванов, Т.П. Самсонова. ФТП, 43, 640 (2009)
П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42, 878 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель