Исследования методом атомно-силовой микроскопии подготовленных для нанесения барьерного контакта поверхностей эпитаксиального n-GaAs показали, что основной рельеф таких поверхностей характеризуется шероховатостью в пределах 3-15 нм, хотя наблюдаются "выбросы" до 30-70 нм. С использованием трех независимых методов определения пространственной размерности поверхности, основанных на фрактальном анализе поверхности (метод триангуляции), контура ее сечения в горизонтальной плоскости и вертикального сечения (профиля поверхности) показано, что рабочая поверхность эпитаксиального n-GaAs удовлетворяет всем основным закономерностям поведения фрактальных броуновских поверхностей и в локальном приближении может характеризоваться величиной фрактальной размерности D_f, несколько различающейся для различных измерительных масштабов. По результатам наиболее точного метода триангуляции фрактальные размерности исследований поверхности эпитаксиального n-GaAs для значений измерительного масштаба от 0.692 до 0.0186 мкм лежат в диапазоне D_f=2.490-2.664. Получены оценки реальной площади поверхности S_real эпитаксиальных слоев n-GaAs с помощью графического способа в приближении delta-> 0 (delta - параметр, характеризующий измерительный масштаб). Показано, что реальная площадь поверхности эпитаксиального n-GaAs может значительно (на порядок и более) превышать площадь видимого контактного окна. PACS: 61.43.Hv, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.45.Mp

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.