"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительность барьеров Шоттки Ni-n-GaAs
Мелебаев Д.1, Мелебаева Г.Д.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3
1Туркменский государственный университет им. Магтымгулы, Ашхабад, Туркменистан
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Методом химического осаждения получены структуры с барьером Шоттки Ni-n-GaAs. Толщина слоев никеля с зеркальной наружной поверхностью варьировалась в пределах 150-220 Angstrem. Впервые экспериментально обнаружено, что фоточувствительность полученных барьеров при их освещении со стороны полупрозрачных слоев Ni в фаулеровской области спектра hnu=0.9-1.5 эВ практически отсутствует. Эта закономерность связывается в основном с тем, что при освещении со стороны слоя Ni излучение с энергией фотонов hnu<1.3 эВ сильно отражается от поверхности никеля. Установлено, что разработанные структуры Ni-n-GaAs могут использоваться в качестве высокоэффективных широкодиапазонных фотопреобразователей видимого и ультрафиолетового излучения. PACS: 78.20.-e, 81.15.-z
  1. Арсенид галлия в микроэлектронике, пер. под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М., Мир, 1988)
  2. Г.А. Ашкинази, Ю.В. Жиляев, М.И. Шульга, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 9 (7), 414 (1983)
  3. С.Г. Конников, Г.Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов. Письма ЖТФ, 18 (24), 32 (1992)
  4. Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.М. Лантратов, О.И. Оболенский, Т.В. Петелина, Е.А. Поссе, М.З. Шварц. ФТП, 33, 876 (1999)
  5. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП, 35, 1437 (2001)
  6. А.П. Вяткин, Н.К. Максимова, А.С. Поплавной, В.Е. Степанов, В.А. Чалдышев. ФТП, 4, 915 (1970)
  7. C.R. Crowell, W.G. Spitzer, H.G. White. Appl. Phys. Lett., 1, 3 (1962)
  8. Г.Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, Я. Агаев, Ю.А. Гольдберг, И.В. Попов, М. Сергинов. Тр. XI Всес. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ашхабад. 200 (1991)
  9. А. Беркелиев, Ю.А. Гольдберг, Д. Мелебаев, Б.В. Царенков. ФТП, 10, 1532 (1976)
  10. А. Беркелиев, Ю.А. Гольдберг, А.Н. Именков, Д. Мелебаев, Б.В. Царенков. ФТП, 12, 96 (1978)
  11. Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 3, 33 (2007)
  12. C.A. Mead. Sol. St. Electron., 9, 1023 (1966)
  13. А.А. Гуткин, М.В. Дмитриев, Д.Н. Наследов, А.В. Пашковский. ФТП, 5, 1927 (1971)
  14. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. под ред. А.Ф. Труто (М., Энергия, 1973)
  15. Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь. Тр. VII Межд. науч.-практ. конф. "СИЭТ-2006" (Одесса, Украина, 2006) с. 165
  16. Г.Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь. Тр. VIII Межд. науч.-практ. конф. "СИЭТ-2007" (Одесса, Украина, 2007) с. 346
  17. М.Г. Коттон, Д.Дж. Локфуд. Рассеяние света в магнетиках, под ред. Н.М. Крейнес (М., Наука, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.