Болотов В.В.1, Кан В.Е.1
1Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.
При возбуждении излучением лазерного диода Nd-YAG в образцах кремния как n-, так и p-типа проводимости с различным содержанием межузельного кислорода исследована околокраевая инфракрасная фотолюминесценция с максимумом полосы при E=1.084 эВ. Проведенные термические обработки показали практически полное исчезновение люминесценции при прогревах при T=1050oC и ее частичное двухстадийное восстановеление при последующих прогревах в диапазоне температур 550-800oC. Температурные интервалы гашения и возникновения фотолюминесценции (500-600 и 700-800oC) коррелируют с температурными интервалами растворения мелких кислородных преципитатов (1000oC) и возникновения кислородсодержащих термодефектов, так называемых термодоноров I и II рода. На основе полученных данных сделан вывод, что электронные состояния, обусловленные термодонорами, являются ловушками для неравновесных носителей, опустошение которых вносит вклад в околокраевое излучение. PACS: 61.72.Cc, 81.40.Ef, 81.40.Tv, 78.55.Ap
- W. Kaiser. Phys. Rev., 105, 1751 (1957)
- C.S. Fuller, J.A. Ditzenberger, N.B. Hannay, E. Buehler. Phys. Rev. A, 96, 833 (1955)
- J.R. Patel. In: Semiconductor Silicon 1981, ed. by H.R. Huff, R.J. Kriegler and Y. Takeishi (Electrochemical Society, Pennington, 1981) p. 189
- J.R. Patel, K.A. Jackson, H. Reiss. J. Appl. Phys., 48, 5279 (1977)
- Y. Tokuda, N. Kobayashi. J. Appl. Phys., 66, 3651 (1989)
- Y. Kamiura, F. Hashimoto, M. Yoneta. J. Appl. Phys., 66, 3926 (1989)
- S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)
- A. Castaldini, D. Cavalcoli, A. Cavallini, S. Pzzini. Phys. Status Solidi A, 202, 889 (2005)
- E. Leoni, S. Binetti, B. Pichaud, S. Pizzini. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 27, 123 (2004)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990) с. 28
- V. Cazcarra, P. Zunino. J. Appl. Phys., 51, 4206 (1980)
- И.П. Варшни. В сб.: Излучательная рекомбинация в полупроводдниках, под ред. Я.Е. Покровского (М., Наука, 1972) с. 9
- Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, В.В. Забродский, Н.В. Забродская, В.Л. Суханов, Е.И. Шек. ФТП, 41, 635 (2007)
- P.E. Wei, K.F. Kelton, R. Falster. J. Appl. Phys., 88, 5062 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.