"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инфракрасная люминесценция в термообработанном кремнии
Болотов В.В.1, Кан В.Е.1
1Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

При возбуждении излучением лазерного диода Nd-YAG в образцах кремния как n-, так и p-типа проводимости с различным содержанием межузельного кислорода исследована околокраевая инфракрасная фотолюминесценция с максимумом полосы при E=1.084 эВ. Проведенные термические обработки показали практически полное исчезновение люминесценции при прогревах при T=1050oC и ее частичное двухстадийное восстановеление при последующих прогревах в диапазоне температур 550-800oC. Температурные интервалы гашения и возникновения фотолюминесценции (500-600 и 700-800oC) коррелируют с температурными интервалами растворения мелких кислородных преципитатов (1000oC) и возникновения кислородсодержащих термодефектов, так называемых термодоноров I и II рода. На основе полученных данных сделан вывод, что электронные состояния, обусловленные термодонорами, являются ловушками для неравновесных носителей, опустошение которых вносит вклад в околокраевое излучение. PACS: 61.72.Cc, 81.40.Ef, 81.40.Tv, 78.55.Ap
  1. W. Kaiser. Phys. Rev., 105, 1751 (1957)
  2. C.S. Fuller, J.A. Ditzenberger, N.B. Hannay, E. Buehler. Phys. Rev. A, 96, 833 (1955)
  3. J.R. Patel. In: Semiconductor Silicon 1981, ed. by H.R. Huff, R.J. Kriegler and Y. Takeishi (Electrochemical Society, Pennington, 1981) p. 189
  4. J.R. Patel, K.A. Jackson, H. Reiss. J. Appl. Phys., 48, 5279 (1977)
  5. Y. Tokuda, N. Kobayashi. J. Appl. Phys., 66, 3651 (1989)
  6. Y. Kamiura, F. Hashimoto, M. Yoneta. J. Appl. Phys., 66, 3926 (1989)
  7. S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)
  8. A. Castaldini, D. Cavalcoli, A. Cavallini, S. Pzzini. Phys. Status Solidi A, 202, 889 (2005)
  9. E. Leoni, S. Binetti, B. Pichaud, S. Pizzini. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 27, 123 (2004)
  10. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990) с. 28
  11. V. Cazcarra, P. Zunino. J. Appl. Phys., 51, 4206 (1980)
  12. И.П. Варшни. В сб.: Излучательная рекомбинация в полупроводдниках, под ред. Я.Е. Покровского (М., Наука, 1972) с. 9
  13. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, В.В. Забродский, Н.В. Забродская, В.Л. Суханов, Е.И. Шек. ФТП, 41, 635 (2007)
  14. P.E. Wei, K.F. Kelton, R. Falster. J. Appl. Phys., 88, 5062 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.