"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Послойный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда
Бакалейников Л.А.1, Домрачева Я.В.1, Заморянская М.В.1, Колесникова Е.В.1, Попова Т.Б.1, Флегонтова Е.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

Описана методика послойного рентгеноспектрального микроанализа полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда с последующей математической обработкой результатов измерений. Экспериментальные зависимости относительной интенсивности рентгеновского излучения от энергии электронного зонда сравнивались с результатами расчетов методом Монте-Карло. При этом делались априорные предположения о характере распределения концентрации по глубине, а численные параметры распределения отыскивались из условия наилучшего совпадения экспериментальных и расчетных зависимостей. Описанная методика применена для анализа распределения концентрации Al по глубине в образцах SiC и GaN. PACS: 79.60.Jv, 78.70.-g, 68.49.Jk, 78.70.En
  1. D.R. Penn. Phys. Rev. B, 35, 482 (1987)
  2. R. Shimizu, Z.J. Ding. Rep. Progr. Phys., 55, 487 (1992)
  3. Т.Б. Попова, Л.А. Бакалейников, М.В. Заморянская, Е.Ю. Флегонтова. ФТП, 42 (6), 686 (2008)
  4. Дж.К. Фидлер, К. Найтингейл. Машинное проектирование электронных схем (М., Высш. шк., 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.