"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анизотропия проводимости в легированных монокристаллах Bi2Te3
Абдуллаев Н.А.1, Кахраманов С.Ш.1, Керимова Т.Г.1, Мустафаева К.М.1, Немов С.А.2
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Исследованы температурные зависимости (диапазон температур T=0.5-300 K) удельного сопротивления в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также гальваномагнитные эффекты в нелегированных и легированных монокристаллах Bi2Te3 (магнитное поле H<80 кЭ, T=0.5-4.2 K). Показано, что при легировании Bi2Te3 атомами III группы (индием и бором) анизотропия проводимости повышается главным образом за счет увеличения удельного сопротивления в направлении, перпендикулярном слоям. Это позволяет предположить, что атомы этих примесей при легировании в основном внедряются в ван-дер-ваальсовы щели между слоями. Выявлено также, что при легировании Bi2Te3 индием и бором температурная зависимость подвижности ослабляется, что свидетельствует о повышении в механизмах рассеяния роли процессов рассеяния носителей на дефектах. Оценены величины концентраций и подвижностей носителей заряда, значения холл-фактора, обусловленного анизотропией эффективных масс и ориентацией эллипсоидов относительно кристаллографических осей, площади экстремального сечения поверхности Ферми плоскостью, перпендикулярной направлению магнитного поля, и энергии Ферми. PACS: 72.20.Fr, 72.20.My, 72.80.Jc, 73.20.Fz
  1. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- (М., Наука, 1972)
  2. Г.Т. Алексеева, П.П. Константинов, В.А. Кутасов, Л.Н. Лукъянова, Ю.И. Равич. ФТТ, 38 (10), 2998 (1996)
  3. М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 40 (8), 1428 (1998)
  4. В.А. Кутасов, Л.Н. Лукъянова, П.П. Константинов. ФТП, 34 (4), 389 (2000)
  5. Р. Лайхо, С.А. Немов, А.В. Лашкул, Э. Лахдеранта, Т.Е. Свечникова, Д.С. Дворник. ФТП, 41 (5), 565 (2007)
  6. Н.П. Степанов, С.А. Немов, М.К. Житинская, Т.Е. Свечникова. ФТП, 41 (7), 808 (2007)
  7. P. Schnabel. Zeits. Angew. Phys., 22 (2), 136 (1967)
  8. В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова. ФТТ, 28 (3), 899 (1986)
  9. К.Ш. Кахраманов, Р.М. Рошаль, Л.Н. Алиева, М.И. Касимов. Неорг. матер., 24 (12), 1954 (1988)
  10. Б.А. Ефимова, И.Я. Коренблит, В.И. Новиков, А.Г. Остроумов. ФТТ, 3 (9), 2746 (1961)
  11. R.T. Delves, A.E. Bowley, D.W. Haselden, H.J. Goldsmid. Proc. Phys. Soc., 78, 838 (1961)
  12. Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Письма ЖЭТФ, 47 (10), 498 (1988)
  13. Ф.Н. Абдуллаев, Т.Г. Керимова, Г.Д. Султанов, Н.А. Абдуллаев. ФТТ, 48 (10), 1744 (2006)
  14. Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках (Л., Наука, 1970)
  15. J.R. Drabble, R. Wolfe. Proc. Phys. Soc., 69, 1101 (1956)
  16. И.М. Лифшиц, А.М. Косевич. ЖЭТФ, 29 (6), 730 (1955)
  17. V.A. Kulbachinskii, Z.D. Kovalyuk, M.N. Pylrya. Phys. Status Solidi B, 169, 157 (1992)
  18. Р.В. Парфеньев, В.В. Сологуб, Б.М. Гольцман. ФТТ, 10 (10), 3087 (1968)
  19. B. Schroder, A. von Middendorf, H. Kohler, G. Landwehr. Phys. Status Solidi B, 59, 561 (1973)
  20. L.R. Testardi, P.I. Stiles, E. Burshtein. Sol. St. Commun., 1, 28 (1963)
  21. H. Kohler. Phys. Status Solidi B, 74, 591 (1976)
  22. V.A. Kulbachinskii, M. Inoue, M. Sasaki, H. Negishi, W.X. Gao, K. Takase, Y. Giman, P. Lostak, J. Horak. Phys. Status Solidi B, 50 (23), 16 921 (1994)
  23. В.В. Сологуб, А.Д. Голецкая, Р.В. Парфеньев. ФТТ, 14 (3), 915 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.