Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10651
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
150
Распределение количества просмотров по годам:
640529
602108
581787
518973
447832
429593
396409
351706
430174
542417
537159
491460
490637
498679
481968
498048
518015
528478
462933
492273
461179
589993
601357
592106
564683
611688
615344
592761
564566
529637
428923
323367
193576
101356
10955
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
685
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
277
270
295
249
323
261
155

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2000 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Рудь В.Ю.
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Давыдов Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Бекимбетов Р.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Вейнгер А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Усиков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Звонарева Т.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Бедарев Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
3
Михрин С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лившиц Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Торхов Н.А.
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов В.К.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Шелых И.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коугия К.В.
Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
3
Айдаралиев М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Талалакин Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гольдман Е.И.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Садофьев Ю.Г.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Венгер Е.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Ободников В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Гасан-заде С.Г.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Козловский В.И.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильчук Г.А.
Государственный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
3
Украинец Н.А.
Государственный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
3
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Шаронова Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ардышев В.М.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Ардышев М.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Хлудков С.С.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Колин Н.Г.
Филиал ГНЦ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2
Меркурисов Д.И.
Филиал ГНЦ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2
Соловьев С.П.
Институт атомной энергетики, Обнинск, Россия
2
Еремеев С.В.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Гергель В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Тимофеев М.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Крылов П.Н.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пашковский А.Б.
Государственное научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
2
Булярский С.В.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Бояркина Н.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Мозоль П.Е.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Медведкин Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гулямов Г.
Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2
Дадамирзаев М.Г.
Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2
Бойдедаев С.Р.
Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2
Гременок В.Ф.
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Крестников И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каяндер И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Одноблюдов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кондратьева Е.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Bimberg D.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Зайнабидинов С.З.
Ташкентский государственный университет им. М. Улугбека, Ташкент, Узбекистан
2
Маматкаримов О.О.
Ташкентский государственный университет им. М. Улугбека, Ташкент, Узбекистан
2
Туйчиев У.А.
Ташкентский государственный университет им. М. Улугбека, Ташкент, Узбекистан
2
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Rosenauer A.
Laboratorium fur Elektronenmikroskopie, Universitat Karlsruhe, Germany
2
Neubauer B.
Laboratorium fur Elektronenmikroskopie, Universitat Karlsruhe, Germany
2
Gerthsen D.
Laboratorium fur Elektronenmikroskopie, Universitat Karlsruhe, Germany
2
Тишковский Е.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Таскин А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники, Фрязино, Россия
2
Чучева Г.В.
Институт радиотехники и электроники, Фрязино, Россия
2
Остапов С.Э.
Черновицкий университет, Черновцы, Украина
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Казакова Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Овсюк В.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Буравлев А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рыков С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Казанский А.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Васильев В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Beyer T.
Fraunhofer Institute of Physical Measurement Techniques, Freiburg, Germany
2
Черкашин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каражанов С.Ж.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Соболев В.В.
Удмурдский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Кулеев И.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Богобоящий В.В.
Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина
2
Галицын Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Мощенко С.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Демидов Е.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Помозов Ю.В.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Соснин М.Г.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Хируненко Л.И.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Яшник В.И.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Стась В.Ф.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Агарев В.Н.
Государственное унитарное предприятие НПО "Орион", Москва, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Старый С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Стриха М.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Пелещак Р.М.
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2
Лукиянец Б.А.
Государственный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каминский В.Э.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Ведерников М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Есаев Д.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вавилова Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Капитонов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мурашова А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Глинчук К.Д.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Прохорович А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Стрильчук О.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Пожела К.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Пожела Ю.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Гаврикова Т.А.
Cанкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Зыков В.А.
Cанкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Жиляев Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Никифоров А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Пчеляков О.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Егоров В.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Котельников Е.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кацнельсон А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудряшов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Елесин В.Ф.
Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
2
Ястребов С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Гудыма Ю.В.
Черновицкий государственный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Скрынников Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цивиш С.
J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry, CAS, Prague 8, Czech Republic
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
101
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
24
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
21
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
12
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
10
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
7
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
3
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
3
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Государственный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
3
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Ташкентский государственный университет им. М. Улугбека, Ташкент, Узбекистан
2
Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
2
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Институт атомной энергетики, Обнинск, Россия
2
Филиал ГНЦ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry, CAS, Prague 8, Czech Republic
2
Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2
Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
2
Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
2
Государственное научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина
2
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Fraunhofer Institute of Physical Measurement Techniques, Freiburg, Germany
2
Научно-исследовательский физико-технический институт при Нижегородском государственном университете, Нижний Новгород, Россия
2
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
2
Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
2
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
2
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2