"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Памяти Александра Александровича Рогачева
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

23 октября 1999 г. ушел из жизни Александр Александрович Рогачев --- выдающийся ученый--физик, доктор физико-математических наук, профессор, лауреат Ленинской и Государственной премий СССР, заведующий лабораторией Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (РАН). Александр Александрович --- человек, обладавший глубокими знаниями, научной интуицией и смелостью, внес крупный вклад в физику полупроводников, обогатив ее целым рядом открытий и плодотворных идей в области физики многоэлектронных систем, оптоэлектроники и полупроводниковой техники. А.А. Рогачев родился 18 декабря 1937 года в Ленинграде. Тяжелые годы ленинградской блокады (1941--1944 г.г.) прожил в осажденном городе. В 1955--1960 г.г. учился на физическом факультете Ленинградского государственного университета. В течение 40 лет с 1960 года А.А. Рогачев работал в Ленинградском Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе АН СССР (с 1992 г. --- РАН) последовательно в должности старшего лаборанта, младшего научного сотрудника, аспиранта, младшего научного сотрудника, старшего научного сотрудника, заведующего сектором, а с 1974 года в должности заведующего Лабораторией электронных полупроводников. В 1967 г. Ученый совет Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе присвоил А.А. Рогачеву ученую степень доктора физико-математических наук по материалам диссертации, представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. С 1973 года А.А. Рогачев --- профессор базовой кафедры оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института. А.А. Рогачев обладал широким научным кругозором, а результаты его исследований принадлежат самым разным областям физики полупроводников. Полупроводниковые лазеры, инфракрасные лазеры на гетеропереходах второго типа, конденсация экситонов и электронно-дырочная жидкость, многоэкситонные комплексы, многоэлектронные явления в области перехода диэлектрик--металл, оже--транзистор --- все это входит в круг его личных достижений и достижений Физико-технического института. К числу наиболее ярких научных результатов А.А. Рогачева относится обнаружение конденсации экситонов в германии и открытие стимулированного излучения в арсениде галлия, за которое ему вместе с коллегами в 1964 году была присуждена Ленинская премия. Александр Александрович был самым молодым ученым, удостоенным этой высокой награды за всю историю ее существования. В 1986 году он с группой сотрудников [!t] впервые создал эффективный инфракрасный лазер на гетеропереходе второго типа. В 1988 году А.А.. Рогачев в составе коллектива авторов был удостоен Государственной премии СССР за цикл работ "Многоэкситонные комплексы в полупроводниках". Он принадлежал к немногочисленной сегодня категории физиков, сочетающих в себе талант экспериментатора и талант теоретика. А.А. Рогачев был всесторонне образованным, ярким и интересным человеком, сумевшим создать в своей лаборатории уникальную творческую атмосферу и сплотить вокруг себя немало способных ученых. Он был не только бесспорным лидером в своем коллективе, но и пионером целого направления, связанного с физикой многоэлектронных систем. Созданная им научная школа заняла достойное место в мировой науке. Александр Александрович любил музыку, хорошо разбирался в искусстве, был интересным и остроумным собеседником. Друзья и коллеги часто приходили к нему, чтобы поговорить о науке и о жизни. Его ум, обаяние и сила логики располагали к нему людей. Его уникальный вклад в науку признан мировым научным сообществом. Биография А.А. Рогачева вошла во всемирно известные биографические издания "2000 Outstanding Intellectuals of the 20th Century", "2000 Outstanding Scientists of the 20th Century" (IBC, Cambridge, England), "1000 Leaders of World Influence" (ABI, USA), он назван Man of the Year-1999 (ABI, USA). Международным Биографическим центром (IBC, Cambrige, England) А.А. Рогачев назван International Man of the Millennium. Светлая память об Александре Александровиче Рогачеве сохранится в сердцах тех, кто его знал и вместе с ним работал, в сердцах его многочисленных коллег по научному сообществу. [!h] = l@-65mmp150mm@ & Ж.И. Алферов, П.Д. Алтухов, В.В. Афросимов, В.С. Багаев, Д.А. Варшалович, & Б.А. Волков, И.В. Грехов, А.Г. Забродский, Б.П. Захарченя, В.А. Заяц, & Ю.В. Копаев, В.И. Корольков, П.С. Копьев, Е.П. Мазец, Г.В. Михайлов, & Е.В. Остроумова, Р.В. Парфеньев, В.И. Перель, М.П. Петров, Я.Е. Покровский, & Н.И. Саблина, Н.Н. Сибельдин, В.И. Степанов, Р.А. Сурис, В.Б. Тимофеев.
  1. I. Melngailis, R.H. Rediker. J. Appl. Phys., 37(2), 899 (1966)
  2. Z. Shi, M. Tacke, A. Lambrecht, H. Bottner. Appl. Phys. Lett., 66, 2537 (1995)
  3. Z. Feit, M. McDonald, R.J. Woods, V. Archambault, P. Mak. Appl. Phys. Lett., 68, 738 (1996)
  4. M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 8, 1575 (1993)
  5. H.K. Choi, G.W. Turner, Z.L. Liau. Appl. Phys. Lett., 65(18), 2251 (1994)
  6. A. Rybaltowski, Y. Xiao, D. Wu, B. Lane, H. Yi, H. Fend, J. Diaz, M.Razeghi. Appl. Phys. Lett., 71(17), 2430 (1997)
  7. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Y.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64(19), 2480 (1994)
  8. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33(6), 759 (1999)
  9. Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.М. Стусь, В.Б. Халфин. ФТП, 31(11), 1396 (1997)
  10. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33(2), 233 (1999)
  11. T. Okoshi, K. Kikuchi, A. Nakayama. Electron. Lett., 16(16), 630 (1980)
  12. I. Joindot, J.L. Beylat. Electron. Lett., 29(7), 604 (1993)
  13. П.Г. Елисеев, А.П. Богатов. Тр. ФИАН, 166, 15 (1986)
  14. P.P. Paskov. Sol. St. Commun., 82(9), 739 (1992)
  15. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  16. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 24(12), 40 (1998)
  17. Т.Н. Данилова, А.П. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33(2), 243 (1999)
  18. C.H. Henry. IEEE J. Quant. Electron., 18(2), 259 (1982)
  19. W.H. Burkett, B. Lu, M. Xiao. IEEE J. Quant. Electron., 33(11), 2111 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.