Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 4 » Статья стр. 504
<<<>>>
Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (lambda=3.0/3.6 мкм)
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1, Beyer T.2, Brunner R.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Fraunhofer Institute of Physical Measurement Techniques, Freiburg, Germany
Поступила в редакцию: 9 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
PDF версия
Показано, что увеличение внутренних потерь за порогом генерации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (диапазон длин волн lambda=3.0/3.6 мкм, температура T=77 K) приводит к токовой перестройке лазерной моды в голубую сторону, достигающей 80 см-1/А, и может объяснить уширение лазерной линии от 5 до 7 МГц с ростом тока накачки.
  1. I. Melngailis, R.H. Rediker. J. Appl. Phys., 37(2), 899 (1966)
  2. Z. Shi, M. Tacke, A. Lambrecht, H. Bottner. Appl. Phys. Lett., 66, 2537 (1995)
  3. Z. Feit, M. McDonald, R.J. Woods, V. Archambault, P. Mak. Appl. Phys. Lett., 68, 738 (1996)
  4. M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 8, 1575 (1993)
  5. H.K. Choi, G.W. Turner, Z.L. Liau. Appl. Phys. Lett., 65(18), 2251 (1994)
  6. A. Rybaltowski, Y. Xiao, D. Wu, B. Lane, H. Yi, H. Fend, J. Diaz, M.Razeghi. Appl. Phys. Lett., 71(17), 2430 (1997)
  7. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Y.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64(19), 2480 (1994)
  8. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33(6), 759 (1999)
  9. Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.М. Стусь, В.Б. Халфин. ФТП, 31(11), 1396 (1997)
  10. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33(2), 233 (1999)
  11. T. Okoshi, K. Kikuchi, A. Nakayama. Electron. Lett., 16(16), 630 (1980)
  12. I. Joindot, J.L. Beylat. Electron. Lett., 29(7), 604 (1993)
  13. П.Г. Елисеев, А.П. Богатов. Тр. ФИАН, 166, 15 (1986)
  14. P.P. Paskov. Sol. St. Commun., 82(9), 739 (1992)
  15. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  16. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 24(12), 40 (1998)
  17. Т.Н. Данилова, А.П. Данилова, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33(2), 243 (1999)
  18. C.H. Henry. IEEE J. Quant. Electron., 18(2), 259 (1982)
  19. W.H. Burkett, B. Lu, M. Xiao. IEEE J. Quant. Electron., 33(11), 2111 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme