Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2000, выпуск 4 » Статья стр. 496
<<<>>>
Лазерная генерация в вертикальном направлении в структурах InGaN/GaN/AlGaN с квантовыми точками InGaN
Крестников И.Л.1, Сахаров А.В.1, Лундин В.В.1, Мусихин Ю.Г.1, Карташова А.П.1, Усиков А.С.1, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.1, Алферов Ж.И.1, Сошников И.П.2, Hahn E.2, Neubauer B.2, Rosenauer A.2, Litvinov D.2, Gerthsen D.2, Plaut A.C.3, Hoffmann A.4, Bimberg D.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Laboratorium fur Elektronenmikroskopie der Universitat Karlsruhe, Postfach, Karlsruhe, Germany
3Exeter University, Stocker Road Exeter EX4 4QL, UK
4Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 27 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
PDF версия
Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений получены гетероструктуры InGaN/GaN с плотными массивами нанодоменов InGaN. Показано наличие лазерной генерации в вертикальном направлении при низких температурах, что свидетельствует о реализации сверхвысокого усиления в активной области (~105 см-1). Реализация эффективного распределенного брэгговского отражателя AlGaN/GaN с коэффициентом отражения, превышающим 90%, позволила получить лазерную генерацию в вертикальном направлении при комнатной температуре в структуре с нижним распределенным брэгговским отражателем, несмотря на отсутствие хорошо отражающего врехнего зеркала. Длина волны лазерной генерации составила 401 нм, а пороговая плотность возбуждения - 400 кВт/см2.
  1. D. Bimgerg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (John Wiley \& Sons, Chichester, 1999) p. 328
  2. K. Tachibana, T. Someya, Y. Arakawa, R. Werner, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 75, 2605 (1999)
  3. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, A.A. Yamaguchi. Japan. J. Appl. Phys., pt 2, 36, L899 (1997)
  4. Y.-K. Song, H. Zhou, M. Diagne, I. Ozden, A. Vertikov, A.V. Nurmikko, C. Carter-Coman, R.S. Kern, F.A. Kish, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 74, 3441 (1999)
  5. I.L. Krestnikov, M. Strassburg, M. Caesar, A. Hoffmann, U.W. Pohl, D. Bimberg, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 60, 8695 (1999)
  6. N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, S.V. Ivanov, S.L. Sorokin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, C.M. Sotomayor Torres. Appl. Phys. Lett., 69., 1343 (1996)
  7. A.S. Usikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, I.L. Krestnikov, M.V. Baidakova, Yu.G. Musikhin, V.V. Ratnikov, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Proc. EW MOVPE VIII (Prague, 1999) p. 57
  8. A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.S. Usikov, U.I. Ushakov, Yu.A. Kudryavtsev, A.V. Lunev, Yu.M. Shernyakov, N.N. Ledentsov. MRS Internet J. Nitride Semmicond. Res., 3, art. 28
  9. I. Akasaki, H. Amano. Japan J. Appl. Phys., 36, 5393 (1997)
  10. T. Someya, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 73, 3653 (1998)
  11. A. Rosenauer, S. Kaiser, T. Reisinger, J. Zweck, W. Gebhardt, D. Gerthsen. Optik (Stuttgart), 102, 63 (1996)
  12. A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, Yu.G. Musikhin, M.V. Baidakova, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Phys. St. Sol. (b), 216 (1999)
  13. A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsasul'nikov, Yu.G. Musikhin, M.V. Baidakova, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74, 3921 (1999)
  14. I.L. Krestnikov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, A.V. Sakharov, S.V. Sorokin, C.M. Sotomayor Torres, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. J. Electron. Mater., 27, 72 (1998)
  15. N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, M.V. Maximov, Zh.I. Alferov, V.P. Kalosha, J.A. Lott. Semicond. Sci. Technol., 13, 99 (1999)
  16. F. Jain, W. Huang. J. Appl. Phys., 85, 2706 (1999)
  17. N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, U. Richter, S.S. Ruvimov, P. Werner, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  18. H. Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Japan. J. Appl. Phys., pt 2, 32, L1000 (1993)
  19. W.V. Lundin, A.S. Usikov, I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Baidakova, D.V. Poloskin, V.V. Tret'iakov, N.N. Ledentsov. Proc. EW MOVPE VIII (Prague, 1999) p. 49
  20. T. Someya, Y. Arakawa, R. Werner, A. Forchel. Phys. Stat. Sol. (b), 216 (1999)
  21. I.L. Krestnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 75, 1192 (1999)
  22. I.L. Krestnikov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, A.F. Tsasul'nikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Phys. St. Sol. (b), 216 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme